Справочник MOSFET. SI1054X

 

SI1054X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI1054X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.236 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: SC-89

 Аналог (замена) для SI1054X

 

 

SI1054X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  vishay
 si1054x.pdf

SI1054X SI1054X

Si1054XVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.095 at VGS = 4.5 V 1.32 TrenchFET Power MOSFET12 0.104 at VGS = 2.5 V 1.26 5.25 100 % Rg Tested0.114 at VGS = 1.8 V 0.88 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Swi

 9.1. Size:122K  vishay
 si1051x.pdf

SI1054X SI1054X

Si1051XVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.122 at VGS = - 4.5 V 1.2 TrenchFET Power MOSFET0.141 at VGS = - 2.5 V 1.1 100 % Rg Tested- 8 5.910.168 at VGS = - 1.8 V 0.60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.198 at VGS = - 1.5

 9.2. Size:121K  vishay
 si1050x.pdf

SI1054X SI1054X

Si1050XVishay SiliconixN-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.086 at VGS = 4.5 V 1.34a TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested0.093 at VGS = 2.5 V 1.298 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.102 at VGS = 1.8 V 1.230.120 at VGS = 1.5 V

 9.3. Size:140K  vishay
 si1058x.pdf

SI1054X SI1054X

Si1058XVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.091 at VGS = 4.5 V Material categorization:1.3a20 3.5For definitions of compliance please see 0.124 at VGS = 2.5 V 1.1www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices

 9.4. Size:119K  vishay
 si1056x.pdf

SI1054X SI1054X

Si1056XVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.089 at VGS = 4.5 V 1.32 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested0.098 at VGS = 2.5 V 1.2620 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.121 at VGS = 1.8 V 1.13APPLICATIONS Load Swit

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IPB037N06N3G | IPB107N20NA

 

 
Back to Top