Справочник MOSFET. SI1400DL

 

SI1400DL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1400DL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.568 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SI1400DL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1400DL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  vishay
si1400dl.pdfpdf_icon

SI1400DL

Si1400DLVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.150 at VGS = 4.5 V 1.7 TrenchFET Power MOSFET: 2.5 V Rated - 200.235 at VGS = 2.5 V 1.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSOT-363SC-70 (6-LEADS)D 1 6 DMarking CodeND XX5D 2 DLot Traceab

 9.1. Size:259K  vishay
si1401edh.pdfpdf_icon

SI1400DL

New ProductSi1401EDHVishay SiliconixP-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 4.5 V - 4 TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = - 2.5 V - 4 Typical ESD Performance 1500 V- 12 14.1 nC 100 % Rg Tested0.070 at VGS = - 1.8 V - 4 Compl

 9.2. Size:75K  vishay
si1407dl.pdfpdf_icon

SI1400DL

Si1407DLVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-free 1.8 V RatedAvailable0.130 at VGS = - 4.5 V - 1.8RoHS*- 12 0.170 at VGS = - 2.5 V - 1.5COMPLIANT0.225 at VGS = - 1.8 V - 1.3SOT-363SC-70 (6-LEADS)D 1 6 DMarking CodeOC XX5D 2 DLot Traceabilityand Date Code

 9.3. Size:409K  vishay
si1403dl.pdfpdf_icon

SI1400DL

Si1403DLNew ProductVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-freeAvailable0.180 at VGS = - 4.5 V 1.5RoHS*- 25 0.200 at VGS = - 3.6 V 1.4COMPLIANT0.265 at VGS = - 2.5 V 1.2SOT-363SC-70 (6-LEADS)D 1 6 DMarking CodeOA XX5D 2 DLot Traceabilityand Date CodeG

Другие MOSFET... SI1305DL , SI1305EDL , SI1307DL , SI1307EDL , SI1308EDL , SI1315DL , SI1317DL , SI1330EDL , IRFP064N , SI1401EDH , SI1402DH , SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH , SI1405BDH , SI1405DL , SI1406DH .

History: SI2309CDS | IXTK120N25P | SWN7N65K2 | SSM6P15FU | STD100N03LT4 | HGP059N08A | STW75N60M6

 

 
Back to Top

 


 
.