SI1402DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI1402DH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.95 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для SI1402DH
SI1402DH Datasheet (PDF)
si1402dh.pdf

Si1402DHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.077 at VGS = 4.5 V 3.4 TrenchFET Power MOSFET: 2.5 V Rated 300.120 at VGS = 2.5 V 2.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable ApplicationsSOT-363SC-70 (6-LEA
si1401edh.pdf

New ProductSi1401EDHVishay SiliconixP-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 4.5 V - 4 TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = - 2.5 V - 4 Typical ESD Performance 1500 V- 12 14.1 nC 100 % Rg Tested0.070 at VGS = - 1.8 V - 4 Compl
si1407dl.pdf

Si1407DLVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-free 1.8 V RatedAvailable0.130 at VGS = - 4.5 V - 1.8RoHS*- 12 0.170 at VGS = - 2.5 V - 1.5COMPLIANT0.225 at VGS = - 1.8 V - 1.3SOT-363SC-70 (6-LEADS)D 1 6 DMarking CodeOC XX5D 2 DLot Traceabilityand Date Code
si1403dl.pdf

Si1403DLNew ProductVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-freeAvailable0.180 at VGS = - 4.5 V 1.5RoHS*- 25 0.200 at VGS = - 3.6 V 1.4COMPLIANT0.265 at VGS = - 2.5 V 1.2SOT-363SC-70 (6-LEADS)D 1 6 DMarking CodeOA XX5D 2 DLot Traceabilityand Date CodeG
Другие MOSFET... SI1307DL , SI1307EDL , SI1308EDL , SI1315DL , SI1317DL , SI1330EDL , SI1400DL , SI1401EDH , IRFZ44N , SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH , SI1405BDH , SI1405DL , SI1406DH , SI1410EDH , SI1411DH .
History: 2SK533 | OSG65R070PT3F | PB606BA | ME4972-G | SI7617DN | TPCP8204 | P4506BD
History: 2SK533 | OSG65R070PT3F | PB606BA | ME4972-G | SI7617DN | TPCP8204 | P4506BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124