SI1413DH. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI1413DH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для SI1413DH
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI1413DH даташит
si1413dh.pdf
Si1413DH Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.115 at VGS = - 4.5 V - 2.9 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated 0.155 at VGS = - 2.5 V - 20 - 2.4 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.220 at VGS = - 1.8 V - 2.0 Compliant to RoHS Directive 2002/9
si1413edh.pdf
Si1413EDH Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.115 at VGS = - 4.5 V - 2.9 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated ESD Protected 3000 V - 20 0.155 at VGS = - 2.5 V - 2.4 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.220 at VGS = - 1.8 V - 2.0 Compliant to
si1414dh.pdf
New Product Si1414DH Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.046 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 4 100 % Rg Tested 0.050 at VGS = 2.5 V 30 4 5.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.057 at VGS = 1.8 V 4 APPLICATIONS
si1410edh.pdf
Si1410EDH Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.070 at VGS = 4.5 V 3.7 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated 20 0.080 at VGS = 2.5 V 3.4 ESD Protected 2000 V Thermally Enhanced SC-70 Package 0.100 at VGS = 1.8 V 3.0 Compliant to RoHS Direc
Другие MOSFET... SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH , SI1405BDH , SI1405DL , SI1406DH , SI1410EDH , SI1411DH , IRFZ44 , SI1413EDH , SI1414DH , SI1416EDH , SI1417EDH , SI1419DH , SI1422DH , SI1424EDH , SI1426DH .
History: SI1480DH
History: SI1480DH
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735









