SI1417EDH - описание и поиск аналогов

 

SI1417EDH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1417EDH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1400 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SI1417EDH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1417EDH даташит

 ..1. Size:237K  vishay
si1417edh.pdfpdf_icon

SI1417EDH

Si1417EDH Vishay Siliconix P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.085 at VGS = - 4.5 V - 3.3 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated ESD Protected 3000 V - 12 0.115 at VGS = - 2.5 V - 2.9 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.160 at VGS = - 1.8 V - 2.4 Compliant to

 8.1. Size:76K  vishay
si1417dh.pdfpdf_icon

SI1417EDH

New Product Si1417DH Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS 1.8 V Rated VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Pb-free Thermally Enhanced SC-70 Package 0.085 at VGS = - 4.5 V - 3.3 Available 0.115 at VGS = - 2.5 V - 12 - 2.9 RoHS* APPLICATIONS COMPLIANT 0.160 at VGS = - 1.8 V - 2.4 Load Switching PA Switc

 9.1. Size:225K  vishay
si1414dh.pdfpdf_icon

SI1417EDH

New Product Si1414DH Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.046 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 4 100 % Rg Tested 0.050 at VGS = 2.5 V 30 4 5.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.057 at VGS = 1.8 V 4 APPLICATIONS

 9.2. Size:236K  vishay
si1410edh.pdfpdf_icon

SI1417EDH

Si1410EDH Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.070 at VGS = 4.5 V 3.7 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated 20 0.080 at VGS = 2.5 V 3.4 ESD Protected 2000 V Thermally Enhanced SC-70 Package 0.100 at VGS = 1.8 V 3.0 Compliant to RoHS Direc

Другие MOSFET... SI1405DL , SI1406DH , SI1410EDH , SI1411DH , SI1413DH , SI1413EDH , SI1414DH , SI1416EDH , IRFB4110 , SI1419DH , SI1422DH , SI1424EDH , SI1426DH , SI1427EDH , SI1428EDH , SI1431DH , SI1433DH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.