SI1417EDH. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI1417EDH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 1400 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для SI1417EDH
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI1417EDH даташит
si1417edh.pdf
Si1417EDH Vishay Siliconix P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.085 at VGS = - 4.5 V - 3.3 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated ESD Protected 3000 V - 12 0.115 at VGS = - 2.5 V - 2.9 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.160 at VGS = - 1.8 V - 2.4 Compliant to
si1417dh.pdf
New Product Si1417DH Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS 1.8 V Rated VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Pb-free Thermally Enhanced SC-70 Package 0.085 at VGS = - 4.5 V - 3.3 Available 0.115 at VGS = - 2.5 V - 12 - 2.9 RoHS* APPLICATIONS COMPLIANT 0.160 at VGS = - 1.8 V - 2.4 Load Switching PA Switc
si1414dh.pdf
New Product Si1414DH Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.046 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 4 100 % Rg Tested 0.050 at VGS = 2.5 V 30 4 5.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.057 at VGS = 1.8 V 4 APPLICATIONS
si1410edh.pdf
Si1410EDH Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.070 at VGS = 4.5 V 3.7 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated 20 0.080 at VGS = 2.5 V 3.4 ESD Protected 2000 V Thermally Enhanced SC-70 Package 0.100 at VGS = 1.8 V 3.0 Compliant to RoHS Direc
Другие MOSFET... SI1405DL , SI1406DH , SI1410EDH , SI1411DH , SI1413DH , SI1413EDH , SI1414DH , SI1416EDH , IRFB4110 , SI1419DH , SI1422DH , SI1424EDH , SI1426DH , SI1427EDH , SI1428EDH , SI1431DH , SI1433DH .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor









