Справочник MOSFET. SI1422DH

 

SI1422DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1422DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1422DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  vishay
si1422dh.pdfpdf_icon

SI1422DH

New ProductSi1422DHVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.026 at VGS = 4.5 V 4 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested12 0.030 at VGS = 2.5 V 4 7.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.036 at VGS = 1.8 V 4APPLICATIONS Loa

 9.1. Size:262K  vishay
si1428edh.pdfpdf_icon

SI1422DH

New ProductSi1428EDHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.045 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET30 0.049 at VGS = 4.5 V 4 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM0.060 at VGS = 2.5 V 4 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Dire

 9.2. Size:261K  vishay
si1424edh.pdfpdf_icon

SI1422DH

New ProductSi1424EDHVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.033 at VGS = 4.5 V 4 TrenchFET Power MOSFET0.038 at VGS = 2.5 V 4 Typical ESD Protection 4000 V20 6 nC0.045 at VGS = 1.8 V 4 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direct

 9.3. Size:259K  vishay
si1427edh.pdfpdf_icon

SI1422DH

New ProductSi1427EDHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.064 at VGS = - 4.5 V - 2.0e TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = - 2.5 V - 2.0e 100 % Rg Tested- 20 7.6 nC0.110 at VGS = - 1.8 V - 2.0e Typical ESD Performance 2000 V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP4N4R2H | 2SJ542 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | YTF840

 

 
Back to Top

 


 
.