Справочник MOSFET. IRFR9024N

 

IRFR9024N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFR9024N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRFR9024N

 

 

IRFR9024N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1384K  international rectifier
 irfr9024npbf irfu9024npbf.pdf

IRFR9024N IRFR9024N

PD - 95015AIRFR9024NPbFIRFU9024NPbF Lead-Freewww.irf.com 112/14/04IRFR/U9024NPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage In

 ..2. Size:117K  international rectifier
 irfr9024n.pdf

IRFR9024N IRFR9024N

PD - 9.1506IRFR/U9024NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD P-ChannelVDSS = -55V Surface Mount (IRFR9024N) Straight Lead (IRFU9024N)RDS(on) = 0.175 Advanced Process TechnologyG Fast SwitchingID = -11A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve

 ..3. Size:1384K  infineon
 irfr9024npbf irfu9024npbf.pdf

IRFR9024N IRFR9024N

PD - 95015AIRFR9024NPbFIRFU9024NPbF Lead-Freewww.irf.com 112/14/04IRFR/U9024NPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage In

 0.1. Size:1347K  1
 irfr9024ncpbf irfu9024ncpbf.pdf

IRFR9024N IRFR9024N

PD - 96048IRFR9024NCPbFIRFU9024NCPbF(IRFR9024NCPbF)(IRFU9024NCPbF) Lead-Freewww.irf.com 105/31/06IRFR/U9024NCPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NCPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NCPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductanc

 0.2. Size:529K  infineon
 auirfr9024n auirfu9024n.pdf

IRFR9024N IRFR9024N

AUIRFR9024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU9024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology VDSS -55V Low On-Resistance P-Channel RDS(on) max. 0.175 Dynamic dv/dt Rating ID -11A 150C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D D Lead-Free, RoHS Complian

 0.3. Size:870K  cn vbsemi
 irfr9024ntrpbf.pdf

IRFR9024N IRFR9024N

IRFR9024NTRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParamete

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top