IRFR9111. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR9111

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR9111

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR9111 даташит

 ..1. Size:298K  1
 irfr9110 irfr9111 irfu9110 irfu9111.pdf pdf_icon

IRFR9111

 7.1. Size:1828K  international rectifier
 irfr9110pbf irfu9110pbf.pdf pdf_icon

IRFR9111

PD - 95324A IRFR9110PbF IRFU9110PbF Lead-Free 12/14/04 Document Number 91279 www.vishay.com 1 IRFR/U9110PbF Document Number 91279 www.vishay.com 2 IRFR/U9110PbF Document Number 91279 www.vishay.com 3 IRFR/U9110PbF Document Number 91279 www.vishay.com 4 IRFR/U9110PbF Document Number 91279 www.vishay.com 5 IRFR/U9110PbF Document Number 91279 www.vishay.com 6

 7.2. Size:172K  international rectifier
 irfr9110.pdf pdf_icon

IRFR9111

 7.3. Size:1477K  vishay
 irfr9110 irfu9110 sihfr9110 sihfu9110.pdf pdf_icon

IRFR9111

IRFR9110, IRFU9110, SiHFR9110, SiHFU9110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 100 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.2 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 8.7 Surface Mount (IRFR9110, SiHFR9110) Qgs (nC) 2.2 Straight Lead (IRFU9110, SiHFU9110) Available in Tape

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR9010, IRFR9012, IRFR9014, IRFR9020, IRFR9022, IRFR9024, IRFR9024N, IRFR9110, STP80NF70, IRFR9120, IRFR9120N, IRFR9121, IRFR9210, IRFR9212, IRFR9214, IRFR9220, IRFR9222