Справочник MOSFET. SI1902CDL

 

SI1902CDL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1902CDL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.235 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SI1902CDL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1902CDL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  vishay
si1902cdl.pdfpdf_icon

SI1902CDL

New ProductSi1902CDLVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.235 at VGS = 4.5 V 1.120 0.9 100 % Rg Tested0.306 at VGS = 2.5 V 1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch and DC

 8.1. Size:224K  vishay
si1902dl.pdfpdf_icon

SI1902CDL

Si1902DLVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated0.385 at VGS = 4.5 V 0.7020 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.630 at VGS = 2.5 V 0.54SOT-363 SC-70 (6-LEADS)S1 1 6 D1 M arking C o d eMarking Code

 9.1. Size:105K  vishay
si1905bd.pdfpdf_icon

SI1902CDL

Si1905BDHVishay SiliconixDual P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.542 at VGS = - 4.5 V - 0.63 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.798 at VGS = - 2.5 V - 0.52 10.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1.2 at VGS = - 1.8 V - 0.20APPLICATIONS Load Switc

 9.2. Size:116K  vishay
si1907dl.pdfpdf_icon

SI1902CDL

Si1907DLVishay SiliconixDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V RatedVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-free0.650 at VGS = - 4.5 V 0.56 AvailableRoHS*0.925 at VGS = - 2.5 V 0.47- 12COMPLIANT1.310 at VGS = - 1.8 V 0.39SOT-363SC-70 (6-LEADS)S1 1 6 D1M arking C odeMarking Code PA X XQC X5G1 2 G2

Другие MOSFET... SI1539CDL , SI1551DL , SI1553CDL , SI1555DL , SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH , TK10A60D , SI1917EDH , SI1922EDH , SI1926DL , SI1958DH , SI1965DH , SI1967DH , SI1972DH , SI2202 .

History: 2SK2541 | KO6401-HF | HY029N10P

 

 
Back to Top

 


 
.