SI2323DDS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI2323DDS
Маркировка: E4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.96 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 135 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.039 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
SI2323DDS Datasheet (PDF)
si2323dds.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si2323DDSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)d Qg (Typ.) 100 % Rg Tested Material categorization:0.039 at VGS = - 4.5 V - 5.3For definitions of compliance please see- 20 0.050 at VGS = - 2.5 V - 4.7 13.6 nCwww.vishay.com/doc?999120.075 at VGS = - 1.8 V - 3.8APPLICATION
si2323dds-t1-ge3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SI2323DDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter
si2323ds.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si2323DSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.039 at VGS = - 4.5 V - 4.7 TrenchFET Power MOSFET 0.052 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.10.068 at VGS = - 1.8 V - 3.5APPLICATIONS Load Switch PA SwitchTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewS
si2323ds.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2323DS (KI2323DS)SOT-23Unit: mm Features2.9+0.1-0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-20V3 ID =-4.7A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 39m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 52m (VGS =-2.5V)1 2 RDS(ON) 68m (VGS =-1.8V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain A
si2323ds-3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2323DS (KI2323DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 VDS (V) =-20V ID =-4.7A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 39m (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 52m (VGS =-2.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 68m (VGS =-1.8V)G 13 D1. GateS 2 2. Source3. Drain
si2323ds-t1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SI2323DS-T1www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .