SI3424CDV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI3424CDV
Маркировка: BC*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 92 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
SI3424CDV Datasheet (PDF)
si3424cdv.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si3424CDVVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a, b Qg (Typ.)Definition0.026 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET830 4.2 100 % Rg Tested0.032 at VGS = 4.5 V 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable Devices
si3424bdv.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si3424BDVVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 10 V 8a TrenchFET Power MOSFET30 6.2 100 % Rg Tested0.038 at VGS = 4.5 V 7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable DevicesTSOP
si3424dv.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si3424DVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.028 at VGS = 10 V 6.7 TrenchFET Power MOSFETs300.038 at VGS = 4.5 V 5.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6Top View(1, 2, 5, 6) D1 63 mm52(3) G3 42.85 mm(4) SOrdering I
si3424bd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si3424BDVVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 10 V 8a TrenchFET Power MOSFET30 6.2 100 % Rg Tested0.038 at VGS = 4.5 V 7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable DevicesTSOP
Другие MOSFET... SI3404 , SI3407DV , SI3410DV , SI3415 , SI3417DV , SI3420 , SI3421DV , SI3424BDV , IRF1404 , SI3424DV , SI3429EDV , SI3430DV , SI3433CDV , SI3434 , SI3434DV , SI3438DV , SI3440DV .