Справочник MOSFET. SI3424CDV

 

SI3424CDV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3424CDV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3424CDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  vishay
 si3424cdv.pdf pdf_icon

SI3424CDV

Si3424CDVVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a, b Qg (Typ.)Definition0.026 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET830 4.2 100 % Rg Tested0.032 at VGS = 4.5 V 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable Devices

 8.1. Size:204K  vishay
 si3424bdv.pdf pdf_icon

SI3424CDV

Si3424BDVVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 10 V 8a TrenchFET Power MOSFET30 6.2 100 % Rg Tested0.038 at VGS = 4.5 V 7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable DevicesTSOP

 8.2. Size:180K  vishay
 si3424dv.pdf pdf_icon

SI3424CDV

Si3424DVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.028 at VGS = 10 V 6.7 TrenchFET Power MOSFETs300.038 at VGS = 4.5 V 5.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6Top View(1, 2, 5, 6) D1 63 mm52(3) G3 42.85 mm(4) SOrdering I

 8.3. Size:203K  vishay
 si3424bd.pdf pdf_icon

SI3424CDV

Si3424BDVVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 10 V 8a TrenchFET Power MOSFET30 6.2 100 % Rg Tested0.038 at VGS = 4.5 V 7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable DevicesTSOP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.