Справочник MOSFET. SI3454CDV

 

SI3454CDV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3454CDV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3454CDV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3454CDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  vishay
 si3454cdv.pdf pdf_icon

SI3454CDV

Si3454CDVVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = 10 V 4.2 TrenchFET Power MOSFET30 2.6 100 % Rg Tested0.079 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch- Notebook PCTSOP

 6.1. Size:205K  vishay
 si3454cd.pdf pdf_icon

SI3454CDV

Si3454CDVVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = 10 V 4.2 TrenchFET Power MOSFET30 2.6 100 % Rg Tested0.079 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch- Notebook PCTSOP

 8.1. Size:176K  vishay
 si3454adv.pdf pdf_icon

SI3454CDV

Si3454ADVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.060 at VGS = 10 V 4.5 TrenchFET Power MOSFET300.085 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6Top View(1, 2, 5, 6) D1 63 mm52(3) G3 42.8

 8.2. Size:66K  vishay
 si3454dv.pdf pdf_icon

SI3454CDV

Si3454DVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% Rg Tested0.065 @ VGS = 10 V 4.230300.095 @ VGS = 4.5 V 3.4(1, 2, 5, 6) DTSOP-6Top View1 63 mm52(3) G3 42.85 mm(4) SOrdering Information: Si3454DV-T1N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWIS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI3445ADV , SI3445DV , SI3446ADV , SI3447BDV , SI3447CDV , SI3451DV , SI3453DV , SI3454ADV , 12N60 , SI3455ADV , SI3456BDV , SI3456CDV , SI3456DDV , SI3457BDV , SI3457CDV , SI3458BDV , SI3459BDV .

History: SI4154DY | IXTA200N085T7

 

 
Back to Top

 


 
.