Справочник MOSFET. SI3456BDV

 

SI3456BDV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3456BDV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3456BDV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3456BDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  vishay
 si3456bdv.pdf pdf_icon

SI3456BDV

Si3456BDVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.035 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFET300.052 at VGS = 4.5 V 4.9 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6Top View(1, 2, 5, 6) D1 63 mm52(3) G3 42.

 8.1. Size:193K  vishay
 si3456ddv.pdf pdf_icon

SI3456BDV

New ProductSi3456DDVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 6.3 TrenchFET Power MOSFET30 2.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 4.5 V 5.7APPLICATIONS Load Switch HDD DC/DC Conve

 8.2. Size:65K  vishay
 si3456dv.pdf pdf_icon

SI3456BDV

Si3456DVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% Rg Tested0.045 @ VGS = 10 V 5.130300.065 @ VGS = 4.5 V 4.3(1, 2, 5, 6) DTSOP-6Top View1 63 mm52(3) G3 42.85 mm(4) SOrdering Information: Si3456DV-T1N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWIS

 8.3. Size:190K  vishay
 si3456cd.pdf pdf_icon

SI3456BDV

Si3456CDVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = 10 V 7.8 TrenchFET Power MOSFET30 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.052 at VGS = 4.5 V 6.3APPLICATIONS Load Switch HDDTSOP-6 Top View D D 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI3446ADV , SI3447BDV , SI3447CDV , SI3451DV , SI3453DV , SI3454ADV , SI3454CDV , SI3455ADV , IRF1010E , SI3456CDV , SI3456DDV , SI3457BDV , SI3457CDV , SI3458BDV , SI3459BDV , SI3460DDV , SI3460DV .

History: IRFD9220PBF | IXKF40N60SCD1 | IRFD9024PBF

 

 
Back to Top

 


 
.