Справочник MOSFET. SI3481DV

 

SI3481DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3481DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3481DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3481DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
 si3481dv.pdf pdf_icon

SI3481DV

Si3481DVVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.048 at VGS = - 10 V - 5.3 TrenchFET Power MOSFET- 300.079 at VGS = - 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC- 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6 Top Vi e w 1 6 (4) S3 mm 5 2 (

 9.1. Size:222K  vishay
 si3483cd.pdf pdf_icon

SI3481DV

New ProductSi3483CDVVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 10 V - 8a TrenchFET Power MOSFET- 30 11.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.053 at VGS = - 4.5 V - 7APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop Vi

 9.2. Size:618K  vishay
 si3483dv.pdf pdf_icon

SI3481DV

Si3483DVVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET- 300.053 at VGS = - 4.5 V - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop View1 63 mm (3) G52

 9.3. Size:224K  vishay
 si3483cdv.pdf pdf_icon

SI3481DV

New ProductSi3483CDVVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 10 V - 8a TrenchFET Power MOSFET- 30 11.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.053 at VGS = - 4.5 V - 7APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop Vi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI3464DV , SI3465DV , SI3467DV , SI3473CDV , SI3473DV , SI3474DV , SI3476DV , SI3477DV , AO4407 , SI3483CDV , SI3483DV , SI3493BDV , SI3493DV , SI3495DV , SI3499DV , SI3552DV , SI3585CDV .

History: IXKP13N60C5M

 

 
Back to Top

 


 
.