Справочник MOSFET. SI4124DY

 

SI4124DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4124DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4124DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  vishay
si4124dy.pdfpdf_icon

SI4124DY

New ProductSi4124DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.0075 at VGS = 10 V 20.540 21 nC 100 % Rg Tested0.009 at VGS = 4.5 V 18.7APPLICATIONS Synchronous RectificationSO-8 DC/DCDS D1 8

 9.1. Size:268K  vishay
si4126dy.pdfpdf_icon

SI4124DY

New ProductSi4126DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.00275 at VGS = 10 V 39 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 30 30 nC0.0034 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingSO-8 D SD1 8 SD

 9.2. Size:251K  vishay
si4128dy.pdfpdf_icon

SI4124DY

New ProductSi4128DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.024 at VGS = 10 V 10.9 TrenchFET Power MOSFET30 3.8 nC 100 % Rg Tested0.030 at VGS = 4.5 V 9.7APPLICATIONS Notebook PC- System Power- Load SwitchSO-8 S 1 8 D

 9.3. Size:269K  vishay
si4122dy.pdfpdf_icon

SI4124DY

New ProductSi4122DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0045 at VGS = 10 V 27.2 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 40 29 nC0.006 at VGS = 4.5 V 23.5APPLICATIONS DC/DC ConversionSO-8 D SD1 8 SD2 7 SD3 6 G GD4 5

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI4425DY-T1-E3 | C2M0160120D | R6524KNX | IRC330 | FTK3857L | 2SJ368 | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.