Справочник MOSFET. SI4124DY

 

SI4124DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4124DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4124DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4124DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  vishay
si4124dy.pdfpdf_icon

SI4124DY

New ProductSi4124DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.0075 at VGS = 10 V 20.540 21 nC 100 % Rg Tested0.009 at VGS = 4.5 V 18.7APPLICATIONS Synchronous RectificationSO-8 DC/DCDS D1 8

 9.1. Size:268K  vishay
si4126dy.pdfpdf_icon

SI4124DY

New ProductSi4126DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.00275 at VGS = 10 V 39 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 30 30 nC0.0034 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingSO-8 D SD1 8 SD

 9.2. Size:251K  vishay
si4128dy.pdfpdf_icon

SI4124DY

New ProductSi4128DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.024 at VGS = 10 V 10.9 TrenchFET Power MOSFET30 3.8 nC 100 % Rg Tested0.030 at VGS = 4.5 V 9.7APPLICATIONS Notebook PC- System Power- Load SwitchSO-8 S 1 8 D

 9.3. Size:269K  vishay
si4122dy.pdfpdf_icon

SI4124DY

New ProductSi4122DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0045 at VGS = 10 V 27.2 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 40 29 nC0.006 at VGS = 4.5 V 23.5APPLICATIONS DC/DC ConversionSO-8 D SD1 8 SD2 7 SD3 6 G GD4 5

Другие MOSFET... SI4101DY , SI4102DY , SI4104DY , SI4108DY , SI4110DY , SI4114DY , SI4116DY , SI4122DY , STP65NF06 , SI4126DY , SI4128DY , SI4134DY , SI4136DY , SI4143DY , SI4154DY , SI4156DY , SI4160DY .

History: SQD100N04-3M6 | IRFEA240 | SI3473DV | SQD19P06-60L | STP9527

 

 
Back to Top

 


 
.