IRFS133. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS133

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFS133

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS133 даташит

 9.1. Size:262K  1
 irfs150a.pdf pdf_icon

IRFS133

IRFS150A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 31 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF 175 C Operating Temperature A (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.032 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Sourc

 9.2. Size:280K  1
 irfs150 irfs151.pdf pdf_icon

IRFS133

 9.3. Size:277K  1
 irfs140 irfs141.pdf pdf_icon

IRFS133

 9.4. Size:259K  1
 irfs140a.pdf pdf_icon

IRFS133

IRFS140A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.052 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 23 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF 175 C Operating Temperature A (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.041 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Sour

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR9220, IRFR9222, IRFR9310, IRFRC20, IRFS11N50A, IRFS130, IRFS131, IRFS132, 20N50, IRFS140, IRFS140A, IRFS141, IRFS142, IRFS143, IRFS150, IRFS150A, IRFS151