Справочник MOSFET. SI4162DY

 

SI4162DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4162DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4162DY

 

 

SI4162DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  vishay
si4162dy.pdf

SI4162DY
SI4162DY

Si4162DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested19.3a COMPLIANT 30 8.8 nC 100 % UIS Tested0.010 at VGS = 4.5 V 17.1aAPPLICATIONS DC/DC- High SideSO-8- VRMD- POLSD1 8- ServerSD2 7

 9.1. Size:270K  vishay
si4164dy.pdf

SI4162DY
SI4162DY

New ProductSi4164DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0032 at VGS = 10 V 30 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.0039 at VGS = 4.5 V 26.3APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PCSO-8 Gamin

 9.2. Size:270K  vishay
si4160dy.pdf

SI4162DY
SI4162DY

New ProductSi4160DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0049 at VGS = 10 V 25.4 100 % Rg Tested30 16.9 nC0.0063 at VGS = 4.5 V 100 % UIS Tested22.4APPLICATIONS Notebook- Vcore low side- DC/DCSO-8 D

 9.3. Size:255K  vishay
si4168dy.pdf

SI4162DY
SI4162DY

Si4168DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0057 at VGS = 10 V 24 100 % Rg Tested30 13.8 nC 100 % UIS Tested0.0076 at VGS = 4.5 V 21APPLICATIONS Notebook DC/DCSO-8DSD1 8SD2 7SD3 6GGD4 5Top ViewSOrdering Info

 9.4. Size:270K  vishay
si4166dy.pdf

SI4162DY
SI4162DY

New ProductSi4166DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0039 at VGS = 10 V 30.5 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 21.5 nC0.0055 at VGS = 4.5 V 25.6APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion- Notebook PC- GamingSO-8 D SD1 8

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top