SI4164DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4164DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 21.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 650 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0032 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4164DY Datasheet (PDF)
si4164dy.pdf
New ProductSi4164DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0032 at VGS = 10 V 30 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.0039 at VGS = 4.5 V 26.3APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PCSO-8 Gamin
si4160dy.pdf
New ProductSi4160DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0049 at VGS = 10 V 25.4 100 % Rg Tested30 16.9 nC0.0063 at VGS = 4.5 V 100 % UIS Tested22.4APPLICATIONS Notebook- Vcore low side- DC/DCSO-8 D
si4168dy.pdf
Si4168DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0057 at VGS = 10 V 24 100 % Rg Tested30 13.8 nC 100 % UIS Tested0.0076 at VGS = 4.5 V 21APPLICATIONS Notebook DC/DCSO-8DSD1 8SD2 7SD3 6GGD4 5Top ViewSOrdering Info
si4162dy.pdf
Si4162DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested19.3a COMPLIANT 30 8.8 nC 100 % UIS Tested0.010 at VGS = 4.5 V 17.1aAPPLICATIONS DC/DC- High SideSO-8- VRMD- POLSD1 8- ServerSD2 7
si4166dy.pdf
New ProductSi4166DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0039 at VGS = 10 V 30.5 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 21.5 nC0.0055 at VGS = 4.5 V 25.6APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion- Notebook PC- GamingSO-8 D SD1 8
Другие MOSFET... SI4128DY , SI4134DY , SI4136DY , SI4143DY , SI4154DY , SI4156DY , SI4160DY , SI4162DY , RU7088R , SI4166DY , SI4168DY , SI4170DY , SI4172DY , SI4174DY , SI4176DY , SI4178DY , SI4186DY .
