Справочник MOSFET. SI4164DY

 

SI4164DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4164DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4164DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  vishay
 si4164dy.pdf pdf_icon

SI4164DY

New ProductSi4164DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0032 at VGS = 10 V 30 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.0039 at VGS = 4.5 V 26.3APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PCSO-8 Gamin

 9.1. Size:270K  vishay
 si4160dy.pdf pdf_icon

SI4164DY

New ProductSi4160DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0049 at VGS = 10 V 25.4 100 % Rg Tested30 16.9 nC0.0063 at VGS = 4.5 V 100 % UIS Tested22.4APPLICATIONS Notebook- Vcore low side- DC/DCSO-8 D

 9.2. Size:255K  vishay
 si4168dy.pdf pdf_icon

SI4164DY

Si4168DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0057 at VGS = 10 V 24 100 % Rg Tested30 13.8 nC 100 % UIS Tested0.0076 at VGS = 4.5 V 21APPLICATIONS Notebook DC/DCSO-8DSD1 8SD2 7SD3 6GGD4 5Top ViewSOrdering Info

 9.3. Size:255K  vishay
 si4162dy.pdf pdf_icon

SI4164DY

Si4162DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested19.3a COMPLIANT 30 8.8 nC 100 % UIS Tested0.010 at VGS = 4.5 V 17.1aAPPLICATIONS DC/DC- High SideSO-8- VRMD- POLSD1 8- ServerSD2 7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFX32N50 | SM3316NSQG | AP72T02GJ-HF | SH8K12 | IRC740PBF | 2SK523

 

 
Back to Top

 


 
.