SI4164DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4164DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4164DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4164DY даташит

 ..1. Size:270K  vishay
 si4164dy.pdf pdf_icon

SI4164DY

New Product Si4164DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0032 at VGS = 10 V 30 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC 0.0039 at VGS = 4.5 V 26.3 APPLICATIONS DC/DC Conversion - Low-Side Switch Notebook PC SO-8 Gamin

 9.1. Size:270K  vishay
 si4160dy.pdf pdf_icon

SI4164DY

New Product Si4160DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0049 at VGS = 10 V 25.4 100 % Rg Tested 30 16.9 nC 0.0063 at VGS = 4.5 V 100 % UIS Tested 22.4 APPLICATIONS Notebook - Vcore low side - DC/DC SO-8 D

 9.2. Size:255K  vishay
 si4168dy.pdf pdf_icon

SI4164DY

Si4168DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0057 at VGS = 10 V 24 100 % Rg Tested 30 13.8 nC 100 % UIS Tested 0.0076 at VGS = 4.5 V 21 APPLICATIONS Notebook DC/DC SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 G GD 4 5 Top View S Ordering Info

 9.3. Size:255K  vishay
 si4162dy.pdf pdf_icon

SI4164DY

Si4162DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested 19.3a COMPLIANT 30 8.8 nC 100 % UIS Tested 0.010 at VGS = 4.5 V 17.1a APPLICATIONS DC/DC - High Side SO-8 - VRM D - POL SD 1 8 - Server SD 2 7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4128DY, SI4134DY, SI4136DY, SI4143DY, SI4154DY, SI4156DY, SI4160DY, SI4162DY, AOD4184A, SI4166DY, SI4168DY, SI4170DY, SI4172DY, SI4174DY, SI4176DY, SI4178DY, SI4186DY