IRFS140 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

IRFS140. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS140

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для IRFS140

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRFS140 даташит

..1. Size:277K 1
irfs140 irfs141.pdf pdf_icon

0.1. Size:259K 1
irfs140a.pdf pdf_icon

IRFS140A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.052 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 23 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF 175 C Operating Temperature A (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.041 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Sour

9.1. Size:262K 1
irfs150a.pdf pdf_icon

IRFS150A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 31 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF 175 C Operating Temperature A (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.032 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Sourc

9.2. Size:280K 1
irfs150 irfs151.pdf pdf_icon