Справочник MOSFET. SI4401DY

 

SI4401DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4401DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4401DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4401DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  vishay
 si4401dy.pdf pdf_icon

SI4401DY

Si4401DYVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0155 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFETs- 400.0225 at VGS = - 4.5 V - 8.7S SO-8 SD1 8 S D 2 7 G SD3 6 G D 4 5 Top View D Ordering Information: Si4401DY-T1-E3 (Lead (Pb

 7.1. Size:251K  vishay
 si4401ddy.pdf pdf_icon

SI4401DY

Si4401DDYVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.015 at VGS = - 10 V - 16.1 TrenchFET Power MOSFET- 40 33 nC0.022 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 7.2. Size:248K  vishay
 si4401dd.pdf pdf_icon

SI4401DY

Si4401DDYVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.015 at VGS = - 10 V - 16.1 TrenchFET Power MOSFET- 40 33 nC0.022 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 7.3. Size:827K  cn vbsemi
 si4401ddy-t1-ge3.pdf pdf_icon

SI4401DY

SI4401DDY-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4378DY , SI4384DY , SI4386DY , SI4390DY , SI4396DY , SI4398DY , SI4401BDY , SI4401DDY , K4145 , SI4403BDY , SI4403CDY , SI4404DY , SI4406DY , SI4408DY , SI4409DY , SI4410BDY , SI4410DYPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.