SI4403BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI4403BDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 45 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI4403BDY Datasheet (PDF)
si4403bdy.pdf

Si4403BDYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5- 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2SO-8 SS1 8 D S D 2 7 S3 6 D GG
si4403bd.pdf

Si4403BDYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5- 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2SO-8 SS1 8 D S D 2 7 S3 6 D GG
si4403dy.pdf

Si4403DYNew ProductVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)APPLICATIONS0.017 @ VGS = 4.5 V9D Load Switch20 0.023 @ VGS = 2.5 V 7 Game Stations0.032 @ VGS = 1.8 V 6 Notebooks DesktopsSSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDP-Channel
si4403ddy.pdf

Si4403DDYwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESSO-8 SingleD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD 5D 6 1.8 V rated RDS(on)D 7 100% Rg tested8 Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999124G33APPLICATIONSSSS22SS11 Adapter switchSTop View
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: SI4409DY | SI4848DY-T1-E3 | R6524KNX | IRC330 | SI4174DY | SI4162DY | SI2301ADS-T1
History: SI4409DY | SI4848DY-T1-E3 | R6524KNX | IRC330 | SI4174DY | SI4162DY | SI2301ADS-T1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet