Справочник MOSFET. SI4403BDY

 

SI4403BDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4403BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4403BDY

 

 

SI4403BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  vishay
 si4403bdy.pdf

SI4403BDY SI4403BDY

Si4403BDYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5- 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2SO-8 SS1 8 D S D 2 7 S3 6 D GG

 6.1. Size:223K  vishay
 si4403bd.pdf

SI4403BDY SI4403BDY

Si4403BDYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5- 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2SO-8 SS1 8 D S D 2 7 S3 6 D GG

 8.1. Size:44K  vishay
 si4403dy.pdf

SI4403BDY SI4403BDY

Si4403DYNew ProductVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)APPLICATIONS0.017 @ VGS = 4.5 V9D Load Switch20 0.023 @ VGS = 2.5 V 7 Game Stations0.032 @ VGS = 1.8 V 6 Notebooks DesktopsSSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDP-Channel

 8.2. Size:256K  vishay
 si4403ddy.pdf

SI4403BDY SI4403BDY

Si4403DDYwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESSO-8 SingleD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD 5D 6 1.8 V rated RDS(on)D 7 100% Rg tested8 Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999124G33APPLICATIONSSSS22SS11 Adapter switchSTop View

 8.3. Size:235K  vishay
 si4403cdy.pdf

SI4403BDY SI4403BDY

New ProductSi4403CDYVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.0155 at VGS = - 4.5 V - 13.4 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.0195 at VGS = - 2.5 V - 12 36.5 nC 100 % Rg Tested0.0250 at VGS = - 1.8 V - 10.5 100 % UIS Tested Compliant to

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: TPC8038-H

 

 
Back to Top