Справочник MOSFET. SI4408DY

 

SI4408DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4408DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4408DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4408DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
si4408dy.pdfpdf_icon

SI4408DY

Si4408DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0045 at VGS = 10 V 21 TrenchFET Power MOSFET200.0068 at VGS = 4.5 V 17 PWM Optimized for Fast Switching Low Switching Losses Low Gate Drive Losses 100 % Rg Tested APPLICATIONS

 9.1. Size:224K  vishay
si4406dy.pdfpdf_icon

SI4408DY

Si4406DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0045 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET300.0055 at VGS = 4.5 V Optimized for Low Side Synchronous 17Rectifier Operation 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC ConvertersSO-8

 9.2. Size:225K  vishay
si4403bdy.pdfpdf_icon

SI4408DY

Si4403BDYVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5- 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2SO-8 SS1 8 D S D 2 7 S3 6 D GG

 9.3. Size:255K  vishay
si4409dy.pdfpdf_icon

SI4408DY

Si4409DYVishay SiliconixP-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition1.2 at VGS = - 10 V - 1.3 TrenchFET Power MOSFET- 150 4.8 nC 100 % UIS Tested 1.3 at VGS = - 6 V - 1.2APPLICATIONS Active Clamp Switch Isolated DC/DC ConvertersS SO-8S1 8 D

Другие MOSFET... SI4398DY , SI4401BDY , SI4401DDY , SI4401DY , SI4403BDY , SI4403CDY , SI4404DY , SI4406DY , SPP20N60C3 , SI4409DY , SI4410BDY , SI4410DYPBF , SI4411DY , SI4412ADY , SI4413ADY , SI4418DY , SI4420BDY .

History: TPCA8010-H | L2N60D | UPA1820GR | AOB266L | STP10NK70ZFP | PZD502CYB

 

 
Back to Top

 


 
.