Справочник MOSFET. SI4430BDY

 

SI4430BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4430BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4430BDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4430BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  vishay
 si4430bdy.pdf pdf_icon

SI4430BDY

Si4430BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.0045 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFETs30 240.006 at VGS = 4.5 V 17 100 % Rg TestedSO-8DS1 8 DS D2 7S3 6 DG D4 5 GTop ViewSOrdering Information: Si4430BDY-T1-E3 (Le

 6.1. Size:226K  vishay
 si4430bd.pdf pdf_icon

SI4430BDY

Si4430BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.0045 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFETs30 240.006 at VGS = 4.5 V 17 100 % Rg TestedSO-8DS1 8 DS D2 7S3 6 DG D4 5 GTop ViewSOrdering Information: Si4430BDY-T1-E3 (Le

 8.1. Size:50K  vishay
 si4430dy.pdf pdf_icon

SI4430BDY

Si4430DYNew ProductVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.004 (typ)@ VGS = 10 V "2330300.008 @ VGS = 4.5 V "17DSO-8SD1 8GSD2 7SD3 6GD4 5Top View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 30VVGa

 8.2. Size:3798K  cn szxunrui
 si4430.pdf pdf_icon

SI4430BDY

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI4430N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SO-8LDDDDescription DThe SI4430 uses advanced trench technology to provide GGSexcellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary S SSSSO-8 SPin 1MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Equivalent Cir cuitD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4420BDY , SI4420DYPBF , SI4421DY , SI4423DY , SI4425BDY , SI4425DDY , SI4426DY , SI4427BDY , IRFP250 , SI4431CDY , SI4434DY , SI4435DDY , SI4435DYPBF , SI4436DY , SI4438DY , SI4446DY , SI4447ADY .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.