Справочник MOSFET. SI4431CDY

 

SI4431CDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4431CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4431CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  vishay
 si4431cdy.pdf pdf_icon

SI4431CDY

New ProductSi4431CDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.032 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.049 at VGS = - 4.5 V - 5.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchSO-8S S1 8 DS

 0.1. Size:830K  cn vbsemi
 si4431cdy-t1-e3.pdf pdf_icon

SI4431CDY

SI4431CDY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S

 6.1. Size:269K  vishay
 si4431cd.pdf pdf_icon

SI4431CDY

New ProductSi4431CDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.032 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.049 at VGS = - 4.5 V - 5.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchSO-8S S1 8 DS

 8.1. Size:75K  vishay
 si4431ady.pdf pdf_icon

SI4431CDY

Si4431ADYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.030 @ VGS = 10 V7.230300.052 @ VGS = 4.5 V 5.5SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4431ADY-T1P-Channel MOSFETSi4431ADY-T1E3 (Lead (Pb)-free)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI4396DY | SI4172DY | R6524KNX | IRC330 | SI4324DY | SI4384DY | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.