SI4431CDY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI4431CDY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4431CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4431CDY

 

SI4431CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  vishay
si4431cdy.pdfpdf_icon

SI4431CDY

New Product Si4431CDY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.032 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.049 at VGS = - 4.5 V - 5.8 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch SO-8 S S 1 8 D S

 0.1. Size:830K  cn vbsemi
si4431cdy-t1-e3.pdfpdf_icon

SI4431CDY

SI4431CDY-T1-E3 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S

 6.1. Size:269K  vishay
si4431cd.pdfpdf_icon

SI4431CDY

New Product Si4431CDY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.032 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.049 at VGS = - 4.5 V - 5.8 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch SO-8 S S 1 8 D S

 8.1. Size:75K  vishay
si4431ady.pdfpdf_icon

SI4431CDY

Si4431ADY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.030 @ VGS = 10 V 7.2 30 30 0.052 @ VGS = 4.5 V 5.5 S SO-8 SD 1 8 G S D 2 7 SD 3 6 G D 4 5 Top View D Ordering Information Si4431ADY-T1 P-Channel MOSFET Si4431ADY-T1 E3 (Lead (Pb)-free) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

Другие MOSFET... SI4420DYPBF , SI4421DY , SI4423DY , SI4425BDY , SI4425DDY , SI4426DY , SI4427BDY , SI4430BDY , STP80NF70 , SI4434DY , SI4435DDY , SI4435DYPBF , SI4436DY , SI4438DY , SI4446DY , SI4447ADY , SI4448DY .

 

 
Back to Top

 


 
.