Справочник MOSFET. SI4431CDY

 

SI4431CDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4431CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4431CDY

 

 

SI4431CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  vishay
 si4431cdy.pdf

SI4431CDY SI4431CDY

New ProductSi4431CDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.032 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.049 at VGS = - 4.5 V - 5.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchSO-8S S1 8 DS

 0.1. Size:830K  cn vbsemi
 si4431cdy-t1-e3.pdf

SI4431CDY SI4431CDY

SI4431CDY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S

 6.1. Size:269K  vishay
 si4431cd.pdf

SI4431CDY SI4431CDY

New ProductSi4431CDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.032 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.049 at VGS = - 4.5 V - 5.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchSO-8S S1 8 DS

 8.1. Size:75K  vishay
 si4431ady.pdf

SI4431CDY SI4431CDY

Si4431ADYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.030 @ VGS = 10 V7.230300.052 @ VGS = 4.5 V 5.5SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4431ADY-T1P-Channel MOSFETSi4431ADY-T1E3 (Lead (Pb)-free)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

 8.2. Size:70K  vishay
 si4431dy.pdf

SI4431CDY SI4431CDY

Si4431DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% UIS Tested0.040 @ VGS = 10 V "5.830300.070 @ VGS = 4.5 V "4.5SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4431DY-T1P-Channel MOSFETSi4431DY-T1E3 (Lead (Pb)-Free)ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 8.3. Size:224K  vishay
 si4431bd.pdf

SI4431CDY SI4431CDY

Si4431BDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.030 at VGS = - 10 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFETs - 300.050 at VGS = - 4.5 V - 5.8SO-8 S 1 8 D SS D 2 7 S 3 6 DGG D 4 5 Top View DOrdering Information: Si4431BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

 8.4. Size:157K  vishay
 si4431bdy.pdf

SI4431CDY SI4431CDY

Si4431BDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.030 at VGS = - 10 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFETs - 300.050 at VGS = - 4.5 V - 5.8SO-8 S 1 8 D SS D 2 7 S 3 6 DGG D 4 5 Top View DOrdering Information: Si4431BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top