SI4446DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4446DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4446DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4446DY даташит

 ..1. Size:262K  vishay
 si4446dy.pdf pdf_icon

SI4446DY

New Product Si4446DY Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 10 V 5.2 TrenchFET Power MOSFET 40 8 0.045 at VGS = 4.5 V 4.9 100 % Rg 100 % Rg UIS Tested APPLICATIONS CCFL Inverter SO-8 S D 1 8 D S D 2 7 S 3 6 D

 9.1. Size:103K  vishay
 si4447dy.pdf pdf_icon

SI4446DY

Si4447DY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.054 at VGS = - 10 V - 4.5 - 40 9 100 % Rg Tested 0.072 at VGS = - 4.5 V - 3.9 100 % UIS Tested APPLICATIONS CCFL Inverter SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G S

 9.2. Size:266K  vishay
 si4447ady.pdf pdf_icon

SI4446DY

New Product Si4447ADY Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.045 at VGS = - 10 V - 7.2 TrenchFET Power MOSFET - 40 11.8 nC 0.062 at VGS = - 4.5 V - 6.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPL

 9.3. Size:221K  vishay
 si4442dy.pdf pdf_icon

SI4446DY

Si4442DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0045 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 0.005 at VGS = 4.5 V 30 19 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 2.5 V 17 D SO-8 S 1 8 D 2 7 S D G 3 6 S D G 4 5 D Top View S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4427BDY, SI4430BDY, SI4431CDY, SI4434DY, SI4435DDY, SI4435DYPBF, SI4436DY, SI4438DY, IRFP250, SI4447ADY, SI4448DY, SI4451DY, SI4453DY, SI4455DY, SI4456DY, SI4459ADY, SI4462DY