Справочник MOSFET. SI4453DY

 

SI4453DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4453DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 235 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4453DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4453DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  vishay
si4453dy.pdfpdf_icon

SI4453DY

Si4453DYVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0065 at VGS = - 4.5 V - 14 TrenchFET Power MOSFET 0.00775 at VGS = - 2.5 V - 12 - 13 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.01025 at VGS = - 1.8 V - 12APPLICATIONS Load Switch Battery

 9.1. Size:215K  vishay
si4450dy.pdfpdf_icon

SI4453DY

Si4450DYVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.024 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET600.03 at VGS = 6.0 V 6.5DSO-8S D1 8S D2 7GS D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information: Si4450DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)Si4450DY-T1-GE3

 9.2. Size:266K  vishay
si4459ad.pdfpdf_icon

SI4453DY

New ProductSi4459ADYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.005 at VGS = - 10 V - 29 100 % Rg TestedCOMPLIANT - 30 61 nC 100 % UIS Tested0.00775 at VGS = - 4.5 V - 23APPLICATIONS Adaptor Switch NotebookSO-8S S1 8 DS D

 9.3. Size:240K  vishay
si4456dy.pdfpdf_icon

SI4453DY

Si4456DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0038 at VGS = 10 V 33 TrenchFET Gen II Power MOSFET40 37.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0045 at VGS = 4.5 V 31APPLICATIONS Secondary Rectification Point of LoadSO-8 D SD1 8

Другие MOSFET... SI4435DDY , SI4435DYPBF , SI4436DY , SI4438DY , SI4446DY , SI4447ADY , SI4448DY , SI4451DY , 13N50 , SI4455DY , SI4456DY , SI4459ADY , SI4462DY , SI4463CDY , SI4464DY , SI4465ADY , SI4466DY .

History: SIHF9Z14 | P2004EV | SSH4N55 | 2SK2717 | AP09N90CW | AM7930N | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.