SI4455DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4455DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.295 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4455DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4455DY даташит

 ..1. Size:255K  vishay
 si4455dy.pdf pdf_icon

SI4455DY

New Product Si4455DY Vishay Siliconix P-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.295 at VGS = - 10 V - 8.9c TrenchFET Power MOSFET - 150 23.2 nC 100% Rg Tested 0.315 at VGS = - 6.0 V - 8.6c 100% UIS Tested APPLICATIONS Active Clamp in Intermediate DC/

 9.1. Size:215K  vishay
 si4450dy.pdf pdf_icon

SI4455DY

Si4450DY Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.024 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET 60 0.03 at VGS = 6.0 V 6.5 D SO-8 S D 1 8 S D 2 7 G S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information Si4450DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si4450DY-T1-GE3

 9.2. Size:266K  vishay
 si4459ad.pdf pdf_icon

SI4455DY

New Product Si4459ADY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.005 at VGS = - 10 V - 29 100 % Rg Tested COMPLIANT - 30 61 nC 100 % UIS Tested 0.00775 at VGS = - 4.5 V - 23 APPLICATIONS Adaptor Switch Notebook SO-8 S S 1 8 D S D

 9.3. Size:240K  vishay
 si4456dy.pdf pdf_icon

SI4455DY

Si4456DY Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0038 at VGS = 10 V 33 TrenchFET Gen II Power MOSFET 40 37.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0045 at VGS = 4.5 V 31 APPLICATIONS Secondary Rectification Point of Load SO-8 D SD 1 8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4435DYPBF, SI4436DY, SI4438DY, SI4446DY, SI4447ADY, SI4448DY, SI4451DY, SI4453DY, RFP50N06, SI4456DY, SI4459ADY, SI4462DY, SI4463CDY, SI4464DY, SI4465ADY, SI4466DY, SI4470EY