SI4455DY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI4455DY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4455DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.295 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4455DY

 

SI4455DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  vishay
si4455dy.pdfpdf_icon

SI4455DY

New Product Si4455DY Vishay Siliconix P-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.295 at VGS = - 10 V - 8.9c TrenchFET Power MOSFET - 150 23.2 nC 100% Rg Tested 0.315 at VGS = - 6.0 V - 8.6c 100% UIS Tested APPLICATIONS Active Clamp in Intermediate DC/

 9.1. Size:215K  vishay
si4450dy.pdfpdf_icon

SI4455DY

Si4450DY Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.024 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET 60 0.03 at VGS = 6.0 V 6.5 D SO-8 S D 1 8 S D 2 7 G S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information Si4450DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si4450DY-T1-GE3

 9.2. Size:266K  vishay
si4459ad.pdfpdf_icon

SI4455DY

New Product Si4459ADY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.005 at VGS = - 10 V - 29 100 % Rg Tested COMPLIANT - 30 61 nC 100 % UIS Tested 0.00775 at VGS = - 4.5 V - 23 APPLICATIONS Adaptor Switch Notebook SO-8 S S 1 8 D S D

 9.3. Size:240K  vishay
si4456dy.pdfpdf_icon

SI4455DY

Si4456DY Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0038 at VGS = 10 V 33 TrenchFET Gen II Power MOSFET 40 37.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0045 at VGS = 4.5 V 31 APPLICATIONS Secondary Rectification Point of Load SO-8 D SD 1 8

Другие MOSFET... SI4435DYPBF , SI4436DY , SI4438DY , SI4446DY , SI4447ADY , SI4448DY , SI4451DY , SI4453DY , RFP50N06 , SI4456DY , SI4459ADY , SI4462DY , SI4463CDY , SI4464DY , SI4465ADY , SI4466DY , SI4470EY .

 

 
Back to Top

 


 
.