Справочник MOSFET. SI4455DY

 

SI4455DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4455DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.295 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4455DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  vishay
 si4455dy.pdf pdf_icon

SI4455DY

New ProductSi4455DYVishay SiliconixP-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.295 at VGS = - 10 V - 8.9c TrenchFET Power MOSFET- 150 23.2 nC 100% Rg Tested0.315 at VGS = - 6.0 V - 8.6c 100% UIS TestedAPPLICATIONS Active Clamp in Intermediate DC/

 9.1. Size:215K  vishay
 si4450dy.pdf pdf_icon

SI4455DY

Si4450DYVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.024 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET600.03 at VGS = 6.0 V 6.5DSO-8S D1 8S D2 7GS D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information: Si4450DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)Si4450DY-T1-GE3

 9.2. Size:266K  vishay
 si4459ad.pdf pdf_icon

SI4455DY

New ProductSi4459ADYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.005 at VGS = - 10 V - 29 100 % Rg TestedCOMPLIANT - 30 61 nC 100 % UIS Tested0.00775 at VGS = - 4.5 V - 23APPLICATIONS Adaptor Switch NotebookSO-8S S1 8 DS D

 9.3. Size:240K  vishay
 si4456dy.pdf pdf_icon

SI4455DY

Si4456DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0038 at VGS = 10 V 33 TrenchFET Gen II Power MOSFET40 37.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0045 at VGS = 4.5 V 31APPLICATIONS Secondary Rectification Point of LoadSO-8 D SD1 8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI4403BDY | SI4174DY | IRC330 | R6524KNX | SI4409DY | SI4848DY-T1-E3 | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.