Справочник MOSFET. SI4456DY

 

SI4456DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4456DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 33 nC
   Время нарастания (tr): 208 ns
   Выходная емкость (Cd): 621 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4456DY

 

 

SI4456DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  vishay
si4456dy.pdf

SI4456DY
SI4456DY

Si4456DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0038 at VGS = 10 V 33 TrenchFET Gen II Power MOSFET40 37.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0045 at VGS = 4.5 V 31APPLICATIONS Secondary Rectification Point of LoadSO-8 D SD1 8

 9.1. Size:215K  vishay
si4450dy.pdf

SI4456DY
SI4456DY

Si4450DYVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.024 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET600.03 at VGS = 6.0 V 6.5DSO-8S D1 8S D2 7GS D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information: Si4450DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)Si4450DY-T1-GE3

 9.2. Size:266K  vishay
si4459ad.pdf

SI4456DY
SI4456DY

New ProductSi4459ADYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.005 at VGS = - 10 V - 29 100 % Rg TestedCOMPLIANT - 30 61 nC 100 % UIS Tested0.00775 at VGS = - 4.5 V - 23APPLICATIONS Adaptor Switch NotebookSO-8S S1 8 DS D

 9.3. Size:250K  vishay
si4459ady.pdf

SI4456DY
SI4456DY

Si4459ADYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.005 at VGS = - 10 V - 29- 30 61 nC 100 % Rg and UIS Tested0.00775 at VGS = - 4.5 V - 23 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Adaptor Switch

 9.4. Size:225K  vishay
si4453dy.pdf

SI4456DY
SI4456DY

Si4453DYVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0065 at VGS = - 4.5 V - 14 TrenchFET Power MOSFET 0.00775 at VGS = - 2.5 V - 12 - 13 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.01025 at VGS = - 1.8 V - 12APPLICATIONS Load Switch Battery

 9.5. Size:224K  vishay
si4451dy.pdf

SI4456DY
SI4456DY

Si4451DYVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.00825 at VGS = - 4.5 V - 14 TrenchFET Power MOSFET0.01025 at VGS = - 2.5 V - 12 - 13 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.013 at VGS = - 1.8 V - 12APPLICATIONS Load Switch Battery S

 9.6. Size:255K  vishay
si4455dy.pdf

SI4456DY
SI4456DY

New ProductSi4455DYVishay SiliconixP-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.295 at VGS = - 10 V - 8.9c TrenchFET Power MOSFET- 150 23.2 nC 100% Rg Tested0.315 at VGS = - 6.0 V - 8.6c 100% UIS TestedAPPLICATIONS Active Clamp in Intermediate DC/

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STS15N4LLF5

 

 
Back to Top