SI4470EY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4470EY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.85 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4470EY Datasheet (PDF)
si4470ey.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4470EYVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.011 at VGS = 10 V 12.760 TrenchFET Power MOSFETs0.013 at VGS = 6.0 V 11.7 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDSO
si4472dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4472DYVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.045 at VGS = 10 V 7.7 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.047 at VGS = 8 V 7.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION
si4473dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4473DYVishay SiliconixP-Channel 14-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)APPLICATION0.011 @ VGS = -4.5 V-13-14-14D Battery Switch for Portable Equipment0.016 @ VGS = -2.5 V -11SO-8SSD1 8S D2 7GSD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4473DYSi4473DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MO
si4477dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4477DYVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.0062 at VGS = - 4.5 V - 26.6 TrenchFET Power MOSFET- 20 59 nC 100 % Rg Tested0.0105 at VGS = - 2.5 V - 20.6 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS
si4477dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SI4477DYwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![SI4470EY](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SI4470EY](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SI4470EY](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C