Справочник MOSFET. SI4470EY

 

SI4470EY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4470EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4470EY

 

 

SI4470EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
 si4470ey.pdf

SI4470EY SI4470EY

Si4470EYVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.011 at VGS = 10 V 12.760 TrenchFET Power MOSFETs0.013 at VGS = 6.0 V 11.7 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDSO

 9.1. Size:248K  vishay
 si4472dy.pdf

SI4470EY SI4470EY

Si4472DYVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.045 at VGS = 10 V 7.7 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.047 at VGS = 8 V 7.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION

 9.2. Size:91K  vishay
 si4473dy.pdf

SI4470EY SI4470EY

Si4473DYVishay SiliconixP-Channel 14-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)APPLICATION0.011 @ VGS = -4.5 V-13-14-14D Battery Switch for Portable Equipment0.016 @ VGS = -2.5 V -11SO-8SSD1 8S D2 7GSD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4473DYSi4473DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MO

 9.3. Size:256K  vishay
 si4477dy.pdf

SI4470EY SI4470EY

Si4477DYVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.0062 at VGS = - 4.5 V - 26.6 TrenchFET Power MOSFET- 20 59 nC 100 % Rg Tested0.0105 at VGS = - 2.5 V - 20.6 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 9.4. Size:1420K  cn vbsemi
 si4477dy.pdf

SI4470EY SI4470EY

SI4477DYwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top