Справочник MOSFET. SI4470EY

 

SI4470EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4470EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4470EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4470EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
si4470ey.pdfpdf_icon

SI4470EY

Si4470EYVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.011 at VGS = 10 V 12.760 TrenchFET Power MOSFETs0.013 at VGS = 6.0 V 11.7 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDSO

 9.1. Size:248K  vishay
si4472dy.pdfpdf_icon

SI4470EY

Si4472DYVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.045 at VGS = 10 V 7.7 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.047 at VGS = 8 V 7.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION

 9.2. Size:91K  vishay
si4473dy.pdfpdf_icon

SI4470EY

Si4473DYVishay SiliconixP-Channel 14-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)APPLICATION0.011 @ VGS = -4.5 V-13-14-14D Battery Switch for Portable Equipment0.016 @ VGS = -2.5 V -11SO-8SSD1 8S D2 7GSD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4473DYSi4473DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MO

 9.3. Size:256K  vishay
si4477dy.pdfpdf_icon

SI4470EY

Si4477DYVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.0062 at VGS = - 4.5 V - 26.6 TrenchFET Power MOSFET- 20 59 nC 100 % Rg Tested0.0105 at VGS = - 2.5 V - 20.6 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Другие MOSFET... SI4455DY , SI4456DY , SI4459ADY , SI4462DY , SI4463CDY , SI4464DY , SI4465ADY , SI4466DY , AON6380 , SI4472DY , SI4477DY , SI4482DY , SI4483ADY , SI4483EDY , SI4484EY , SI4485DY , SI4486EY .

History: PTA11N45 | MDV1525URH | 2SJ132-Z | TPCA8104 | 2SK1437 | BUK6D120-60P | IPA126N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.