SI4554DY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI4554DY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4554DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4554DY

 

SI4554DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  vishay
si4554dy.pdfpdf_icon

SI4554DY

Si4554DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 40 0.026 at VGS = 8 V 8e 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.027 at VGS = 4.5 V 8 0.027

 9.1. Size:271K  vishay
si4559ady.pdfpdf_icon

SI4554DY

Si4559ADY Vishay Siliconix N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.058 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.072 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.120 at VGS = - 10 V - 3.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.150

 9.2. Size:236K  vishay
si4559ey.pdfpdf_icon

SI4554DY

Si4559EY Vishay Siliconix N- and P-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.055 at VGS = 10 V 4.5 N-Channel 60 TrenchFET Power MOSFETs 0.075 at VGS = 4.5 V 3.9 175 C Maximum Junction Temperature 0.120 at VGS = - 10 V 3.1 Compliant to RoHS Direct

 9.3. Size:73K  vishay
si4558dy.pdfpdf_icon

SI4554DY

Si4558DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.040 @ VGS = 10 V "6 N-Channel 30 N-Channel 30 0.060 @ VGS = 4.5 V "4.8 0.040 @ VGS = 10 V "6 P-Channel 30 P-Channel 30 0.070 @ VGS = 4.5 V "4.4 S2 SO-8 G2 S1 1 D 8 G1 2 D 7 D S2 3 D 6 G2 4 D 5 G1 Top View S1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS

Другие MOSFET... SI4488DY , SI4491EDY , SI4493DY , SI4497DY , SI4500BDY , SI4501BDY , SI4511DY , SI4532CDY , EMB04N03H , SI4559ADY , SI4564DY , SI4590DY , SI4599DY , SI4618DY , SI4620DY , SI4622DY , SI4626ADY .

 

 
Back to Top

 


 
.