SI4554DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4554DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4554DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4554DY даташит

 ..1. Size:288K  vishay
si4554dy.pdfpdf_icon

SI4554DY

Si4554DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 40 0.026 at VGS = 8 V 8e 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.027 at VGS = 4.5 V 8 0.027

 9.1. Size:271K  vishay
si4559ady.pdfpdf_icon

SI4554DY

Si4559ADY Vishay Siliconix N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.058 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.072 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.120 at VGS = - 10 V - 3.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.150

 9.2. Size:236K  vishay
si4559ey.pdfpdf_icon

SI4554DY

Si4559EY Vishay Siliconix N- and P-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.055 at VGS = 10 V 4.5 N-Channel 60 TrenchFET Power MOSFETs 0.075 at VGS = 4.5 V 3.9 175 C Maximum Junction Temperature 0.120 at VGS = - 10 V 3.1 Compliant to RoHS Direct

 9.3. Size:73K  vishay
si4558dy.pdfpdf_icon

SI4554DY

Si4558DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.040 @ VGS = 10 V "6 N-Channel 30 N-Channel 30 0.060 @ VGS = 4.5 V "4.8 0.040 @ VGS = 10 V "6 P-Channel 30 P-Channel 30 0.070 @ VGS = 4.5 V "4.4 S2 SO-8 G2 S1 1 D 8 G1 2 D 7 D S2 3 D 6 G2 4 D 5 G1 Top View S1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS

Другие IGBT... SI4488DY, SI4491EDY, SI4493DY, SI4497DY, SI4500BDY, SI4501BDY, SI4511DY, SI4532CDY, EMB04N03H, SI4559ADY, SI4564DY, SI4590DY, SI4599DY, SI4618DY, SI4620DY, SI4622DY, SI4626ADY