SI4620DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI4620DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI4620DY Datasheet (PDF)
si4620dy.pdf

Si4620DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = 10 V 7.430 4.2 nC LITTLE FOOT Plus Power MOSFET0.052 at VGS = 4.5 V 6.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY APPLICATIONS
si4628dy.pdf

Si4628DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0030 at VGS = 10 V 38 SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III30 27.5 nC0.0038 at VGS = 4.5 V 33Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS
si4626ady.pdf

New ProductSi4626ADYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0033 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 30 37 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0041 at VGS = 4.5 V 26.3APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingSO-
si4626ad.pdf

New ProductSi4626ADYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0033 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 30 37 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0041 at VGS = 4.5 V 26.3APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingSO-
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SI4160DY | SI4448DY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet