SI4668DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4668DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4668DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4668DY даташит

 ..1. Size:238K  vishay
si4668dy.pdfpdf_icon

SI4668DY

Si4668DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0105 at VGS = 10 V 16.2 TrenchFET Power MOSFET 25 12.4 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0125 at VGS = 4.5 V 13 APPLICATIONS Synchronous Buck SO-8 - High Side D SD 1 8 SD 2 7 SD 3

 9.1. Size:97K  vishay
si4662dy.pdfpdf_icon

SI4668DY

Si4662DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.010 at VGS = 10 V 18.6 TrenchFET Power MOSFET 11 nC 30 100 % Rg and UIS Tested 0.014 at VGS = 4.5 V 15.7 APPLICATIONS High-Side Switch - Notebook DC/DC - Server DC/DC SO-8 D SD 1

 9.2. Size:259K  vishay
si4666dy.pdfpdf_icon

SI4668DY

Si4666DY Vishay Siliconix N-Channel 25 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = 10 V 16.5 TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 4.5 V 25 15.8 10.7 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.014 at VGS = 2.5 V 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATION

 9.3. Size:238K  vishay
si4660dy.pdfpdf_icon

SI4668DY

Si4660DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0058 at VGS = 10 V 23.1 TrenchFET Power MOSFET 17 nC 25 100 % Rg and UIS Tested 0.007at VGS = 4.5 V 21 APPLICATIONS DC/DC Conversion - High Side - Low Side SO-8 D SD 1 8 SD

Другие IGBT... SI4632DY, SI4636DY, SI4638DY, SI4642DY, SI4646DY, SI4654DY, SI4660DY, SI4666DY, IRF640, SI4670DY, SI4682DY, SI4684DY, SI4686DY, SI4688DY, SI4712DY, SI4752DY, SI4774DY