SI4668DY datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI4668DY 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI4668DY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI4668DY даташит
si4668dy.pdf
Si4668DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0105 at VGS = 10 V 16.2 TrenchFET Power MOSFET 25 12.4 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0125 at VGS = 4.5 V 13 APPLICATIONS Synchronous Buck SO-8 - High Side D SD 1 8 SD 2 7 SD 3
si4662dy.pdf
Si4662DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.010 at VGS = 10 V 18.6 TrenchFET Power MOSFET 11 nC 30 100 % Rg and UIS Tested 0.014 at VGS = 4.5 V 15.7 APPLICATIONS High-Side Switch - Notebook DC/DC - Server DC/DC SO-8 D SD 1
si4666dy.pdf
Si4666DY Vishay Siliconix N-Channel 25 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = 10 V 16.5 TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 4.5 V 25 15.8 10.7 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.014 at VGS = 2.5 V 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATION
si4660dy.pdf
Si4660DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0058 at VGS = 10 V 23.1 TrenchFET Power MOSFET 17 nC 25 100 % Rg and UIS Tested 0.007at VGS = 4.5 V 21 APPLICATIONS DC/DC Conversion - High Side - Low Side SO-8 D SD 1 8 SD
Другие IGBT... SI4632DY, SI4636DY, SI4638DY, SI4642DY, SI4646DY, SI4654DY, SI4660DY, SI4666DY, IRF640, SI4670DY, SI4682DY, SI4684DY, SI4686DY, SI4688DY, SI4712DY, SI4752DY, SI4774DY
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet




