SI4668DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI4668DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI4668DY Datasheet (PDF)
si4668dy.pdf

Si4668DYVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0105 at VGS = 10 V 16.2 TrenchFET Power MOSFET25 12.4 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0125 at VGS = 4.5 V 13APPLICATIONS Synchronous BuckSO-8 - High SideDSD1 8 SD2 7 SD3
si4662dy.pdf

Si4662DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.010 at VGS = 10 V 18.6 TrenchFET Power MOSFET11 nC30 100 % Rg and UIS Tested0.014 at VGS = 4.5 V 15.7APPLICATIONS High-Side Switch- Notebook DC/DC- Server DC/DCSO-8 DSD1
si4666dy.pdf

Si4666DYVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = 10 V 16.5 TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 4.5 V 25 15.8 10.7 nC 100 % Rg and UIS Tested0.014 at VGS = 2.5 V 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION
si4660dy.pdf

Si4660DYVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0058 at VGS = 10 V 23.1 TrenchFET Power MOSFET 17 nC25 100 % Rg and UIS Tested0.007at VGS = 4.5 V 21APPLICATIONS DC/DC Conversion- High Side - Low Side SO-8 DSD1 8 SD
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SI4447ADY | SI4448DY | SI4804CDY | SI4833ADY | SI4684DY | SI4634DY | SI4618DY
History: SI4447ADY | SI4448DY | SI4804CDY | SI4833ADY | SI4684DY | SI4634DY | SI4618DY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet