SI4682DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI4682DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SI4682DY
SI4682DY Datasheet (PDF)
si4682dy.pdf

Si4682DYVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0094 at VGS = 10 V 1630 11 nC Extremely Low Qgd for Low Switching Losses0.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLI
si4684dy.pdf

Si4684DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0094 at VGS = 10 V Extremely Low Qgd WFET Technology1630 14 nCfor Low Switching Losses0.0115 at VGS = 4.5 V 14 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direc
si4688dy.pdf

New ProductSi4688DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET300.0145 at VGS = 4.5 V 9.8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook PC- Core D- System PowerSO-8S D1 8S
si4686dy.pdf

Si4686DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0095 at VGS = 10 V 18.2 Extremely Low Qgd WFET Technology30 9.2 nC0.014 at VGS = 4.5 V 15for Low Switching Losses TrenchFET Power MOSFETs 100 % Rg TestedSO-8APPLICATIONSD
Другие MOSFET... SI4638DY , SI4642DY , SI4646DY , SI4654DY , SI4660DY , SI4666DY , SI4668DY , SI4670DY , IRFP260N , SI4684DY , SI4686DY , SI4688DY , SI4712DY , SI4752DY , SI4774DY , SI4776DY , SI4778DY .
History: KMB050N60P | TTG160N03AT | IRF6706S2
History: KMB050N60P | TTG160N03AT | IRF6706S2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383