Справочник MOSFET. SI4682DY

 

SI4682DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4682DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4682DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4682DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  vishay
si4682dy.pdfpdf_icon

SI4682DY

Si4682DYVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0094 at VGS = 10 V 1630 11 nC Extremely Low Qgd for Low Switching Losses0.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLI

 9.1. Size:94K  vishay
si4684dy.pdfpdf_icon

SI4682DY

Si4684DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0094 at VGS = 10 V Extremely Low Qgd WFET Technology1630 14 nCfor Low Switching Losses0.0115 at VGS = 4.5 V 14 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direc

 9.2. Size:243K  vishay
si4688dy.pdfpdf_icon

SI4682DY

New ProductSi4688DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET300.0145 at VGS = 4.5 V 9.8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook PC- Core D- System PowerSO-8S D1 8S

 9.3. Size:235K  vishay
si4686dy.pdfpdf_icon

SI4682DY

Si4686DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0095 at VGS = 10 V 18.2 Extremely Low Qgd WFET Technology30 9.2 nC0.014 at VGS = 4.5 V 15for Low Switching Losses TrenchFET Power MOSFETs 100 % Rg TestedSO-8APPLICATIONSD

Другие MOSFET... SI4638DY , SI4642DY , SI4646DY , SI4654DY , SI4660DY , SI4666DY , SI4668DY , SI4670DY , IRFP260N , SI4684DY , SI4686DY , SI4688DY , SI4712DY , SI4752DY , SI4774DY , SI4776DY , SI4778DY .

History: SM4435 | DMN6040SFDE | 2SJ187 | AOT7S60L | LSB60R030HT | SSH4N60 | STD7N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.