SI4682DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4682DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 82 ns
Выходная емкость (Cd): 375 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0094 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4682DY Datasheet (PDF)
si4682dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4682DYVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0094 at VGS = 10 V 1630 11 nC Extremely Low Qgd for Low Switching Losses0.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLI
si4684dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4684DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0094 at VGS = 10 V Extremely Low Qgd WFET Technology1630 14 nCfor Low Switching Losses0.0115 at VGS = 4.5 V 14 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direc
si4688dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
New ProductSi4688DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET300.0145 at VGS = 4.5 V 9.8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook PC- Core D- System PowerSO-8S D1 8S
si4686dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4686DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0095 at VGS = 10 V 18.2 Extremely Low Qgd WFET Technology30 9.2 nC0.014 at VGS = 4.5 V 15for Low Switching Losses TrenchFET Power MOSFETs 100 % Rg TestedSO-8APPLICATIONSD
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .