SI4686DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4686DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18.2 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 230 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0095 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4686DY Datasheet (PDF)
si4686dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4686DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0095 at VGS = 10 V 18.2 Extremely Low Qgd WFET Technology30 9.2 nC0.014 at VGS = 4.5 V 15for Low Switching Losses TrenchFET Power MOSFETs 100 % Rg TestedSO-8APPLICATIONSD
si4684dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4684DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0094 at VGS = 10 V Extremely Low Qgd WFET Technology1630 14 nCfor Low Switching Losses0.0115 at VGS = 4.5 V 14 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direc
si4682dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4682DYVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0094 at VGS = 10 V 1630 11 nC Extremely Low Qgd for Low Switching Losses0.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLI
si4688dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
New ProductSi4688DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET300.0145 at VGS = 4.5 V 9.8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook PC- Core D- System PowerSO-8S D1 8S
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .