Справочник MOSFET. SI4829DY

 

SI4829DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4829DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.215 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4829DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4829DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  vishay
si4829dy.pdfpdf_icon

SI4829DY

Si4829DYVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.215 at VGS = - 4.5 V - 2 LITTLE FOOT Plus Schottky- 20 2.6 nC 100 % Rg Tested0.320 at VGS = - 2.5 V - 2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY PRODUCT SUMMAR

 9.1. Size:55K  vishay
si4822dy.pdfpdf_icon

SI4829DY

Si4822DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Swithcing MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.010 @ VGS = 10 V "12.030300.015 @ VGS = 4.5 V "9.9DSO-8SD1 8GSD2 7SD3 6GD4 5Top View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30VVGate-Source Volt

 9.2. Size:244K  vishay
si4825dy.pdfpdf_icon

SI4829DY

Si4825DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.014 at VGS = - 10 V - 11.5 TrenchFET Power MOSFETs - 300.022 at VGS = - 4.5 V - 9.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8 SS D1 8S2 7 DGS 3 6 DG4 5 DTop

 9.3. Size:47K  vishay
si4820dy.pdfpdf_icon

SI4829DY

Si4820DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0135 @ VGS = 10 V 1030300.020 @ VGS = 4.5 V 8D D D DSO-8SD1 8S D2 7GSD3 6G D N-Channel MOSFET4 5Top ViewOrdering Information: Si4820DYSi4820DY-T1 (with Tape and Reel)S S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramet

Другие MOSFET... SI4800 , SI4800BDY , SI4810BDY , SI4812BDY , SI4816BDY , SI4823DY , SI4825DDY , SI4825DY , 2N7000 , SI4830CDY , SI4831BDY , SI4833ADY , SI4833BDY , SI4835DDY , SI4836DY , SI4838BDY , SI4838DY .

History: MTM3N75 | CHM730GPAGP

 

 
Back to Top

 


 
.