Справочник MOSFET. SI4836DY

 

SI4836DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4836DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4836DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
si4836dy.pdfpdf_icon

SI4836DY

Si4836DYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.003 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFET0.004 at VGS = 2.5 V 12 22 PWM Optimized0.005 at VGS = 1.8 V 19 100 % Rg Tested APPLICATIONS Low Voltage Synchronous Rectification Low

 9.1. Size:65K  vishay
si4835dy 2.pdfpdf_icon

SI4836DY

Si4835DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.019 @ VGS = -10 V -8.0-30300.033 @ VGS = -4.5 V -6.0S S SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewD D D DOrdering Information: Si4835DYSi4835DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbo

 9.2. Size:68K  vishay
si4835bdy.pdfpdf_icon

SI4836DY

Si4835BDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A) Qg (Typ)D Advanced High Cell Density ProcessD 100% Rg Tested0.018 @ VGS = -10 V -9.6-30-30-25-25APPLICATIONS0.030 @ VGS = -4.5 V -7.5D Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top Vie

 9.3. Size:265K  vishay
si4838bd.pdfpdf_icon

SI4836DY

New ProductSi4838BDYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0027 at VGS = 4.5 V 34 100 % Rg Tested0.0032 at VGS = 2.5 V 12 31 33 nC 100 % UIS Tested0.0040 at VGS = 1.8 V 28APPLICATIONS Low VIN DC/DCSO-8DS D1 8S 2 7 DDS 3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI4835DDY | SI4448DY | SI4804CDY | SI4774DY | SI4752DY | SI4634DY | SI4166DY

 

 
Back to Top

 


 
.