Справочник MOSFET. SI4836DY

 

SI4836DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4836DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4836DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4836DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
si4836dy.pdfpdf_icon

SI4836DY

Si4836DYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.003 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFET0.004 at VGS = 2.5 V 12 22 PWM Optimized0.005 at VGS = 1.8 V 19 100 % Rg Tested APPLICATIONS Low Voltage Synchronous Rectification Low

 9.1. Size:65K  vishay
si4835dy 2.pdfpdf_icon

SI4836DY

Si4835DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.019 @ VGS = -10 V -8.0-30300.033 @ VGS = -4.5 V -6.0S S SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewD D D DOrdering Information: Si4835DYSi4835DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbo

 9.2. Size:68K  vishay
si4835bdy.pdfpdf_icon

SI4836DY

Si4835BDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A) Qg (Typ)D Advanced High Cell Density ProcessD 100% Rg Tested0.018 @ VGS = -10 V -9.6-30-30-25-25APPLICATIONS0.030 @ VGS = -4.5 V -7.5D Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top Vie

 9.3. Size:265K  vishay
si4838bd.pdfpdf_icon

SI4836DY

New ProductSi4838BDYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0027 at VGS = 4.5 V 34 100 % Rg Tested0.0032 at VGS = 2.5 V 12 31 33 nC 100 % UIS Tested0.0040 at VGS = 1.8 V 28APPLICATIONS Low VIN DC/DCSO-8DS D1 8S 2 7 DDS 3

Другие MOSFET... SI4825DDY , SI4825DY , SI4829DY , SI4830CDY , SI4831BDY , SI4833ADY , SI4833BDY , SI4835DDY , 5N60 , SI4838BDY , SI4838DY , SI4840BDY , SI4840DY , SI4842BDY , SI4848DY , SI4850EY , SI4858DY .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | CHM4539JGP | CHM5813ESQ2GP | TPM2101BC3

 

 
Back to Top

 


 
.