Справочник MOSFET. SI4860DY

 

SI4860DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4860DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4860DY

 

 

SI4860DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
 si4860dy.pdf

SI4860DY SI4860DY

Si4860DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.008 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFETs300.011 at VGS = 4.5 V 15 PWM Optimized for High Efficiency 100 % Rg Tested APPLICATIONS Buck Converter- High Side- Low Sid

 9.1. Size:224K  vishay
 si4862dy.pdf

SI4860DY SI4860DY

Si4862DYVishay SiliconixN-Channel 16-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0033 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated160.0055 at VGS = 2.5 V 20 Low 3.3 m RDS(on) Low Gate Resistance 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous Rectification

 9.2. Size:235K  vishay
 si4866bdy.pdf

SI4860DY SI4860DY

Si4866BDYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 9.3. Size:224K  vishay
 si4864dy.pdf

SI4860DY SI4860DY

Si4864DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0035 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated200.0047 at VGS = 2.5 V 20 Low 3.5 m RDS(on) PWM (Qgd and Rg) Optimized APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/DC

 9.4. Size:232K  vishay
 si4866bd.pdf

SI4860DY SI4860DY

Si4866BDYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 9.5. Size:224K  vishay
 si4866dy.pdf

SI4860DY SI4860DY

Si4866DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0055 at VGS = 4.5 V 17 TrenchFET Power MOSFETs120.008 at VGS = 2.5 V 14 PWM Optimized for High Efficiency Low Output Voltage 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top