SI4860DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4860DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4860DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4860DY даташит

 ..1. Size:224K  vishay
 si4860dy.pdf pdf_icon

SI4860DY

Si4860DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.008 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.011 at VGS = 4.5 V 15 PWM Optimized for High Efficiency 100 % Rg Tested APPLICATIONS Buck Converter - High Side - Low Sid

 9.1. Size:224K  vishay
 si4862dy.pdf pdf_icon

SI4860DY

Si4862DY Vishay Siliconix N-Channel 16-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0033 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 16 0.0055 at VGS = 2.5 V 20 Low 3.3 m RDS(on) Low Gate Resistance 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous Rectification

 9.2. Size:235K  vishay
 si4866bdy.pdf pdf_icon

SI4860DY

Si4866BDY Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET 0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2 APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 9.3. Size:224K  vishay
 si4864dy.pdf pdf_icon

SI4860DY

Si4864DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0035 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 20 0.0047 at VGS = 2.5 V 20 Low 3.5 m RDS(on) PWM (Qgd and Rg) Optimized APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/DC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4838BDY, SI4838DY, SI4840BDY, SI4840DY, SI4842BDY, SI4848DY, SI4850EY, SI4858DY, AON7410, SI4862DY, SI4864DY, SI4866BDY, SI4866DY, SI4874BDY, SI4880DY, SI4884BDY, SI4886DY