SI4860DY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI4860DY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4860DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4860DY

 

SI4860DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
 si4860dy.pdf pdf_icon

SI4860DY

Si4860DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.008 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.011 at VGS = 4.5 V 15 PWM Optimized for High Efficiency 100 % Rg Tested APPLICATIONS Buck Converter - High Side - Low Sid

 9.1. Size:224K  vishay
 si4862dy.pdf pdf_icon

SI4860DY

Si4862DY Vishay Siliconix N-Channel 16-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0033 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 16 0.0055 at VGS = 2.5 V 20 Low 3.3 m RDS(on) Low Gate Resistance 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous Rectification

 9.2. Size:235K  vishay
 si4866bdy.pdf pdf_icon

SI4860DY

Si4866BDY Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET 0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2 APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 9.3. Size:224K  vishay
 si4864dy.pdf pdf_icon

SI4860DY

Si4864DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0035 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 20 0.0047 at VGS = 2.5 V 20 Low 3.5 m RDS(on) PWM (Qgd and Rg) Optimized APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/DC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4838BDY , SI4838DY , SI4840BDY , SI4840DY , SI4842BDY , SI4848DY , SI4850EY , SI4858DY , AON7410 , SI4862DY , SI4864DY , SI4866BDY , SI4866DY , SI4874BDY , SI4880DY , SI4884BDY , SI4886DY .

 

 
Back to Top

 


 
.