SI4880DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4880DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4880DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4880DY даташит

 ..1. Size:243K  vishay
 si4880dy.pdf pdf_icon

SI4880DY

Si4880DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0085 at VGS = 10 V 13 TrenchFET Power MOSFETS 30 0.014 at VGS = 4.5 V 10 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SO-8 SD 1 8 S D 2 7 S

 9.1. Size:254K  vishay
 si4884bdy.pdf pdf_icon

SI4880DY

Si4884BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0090 at VGS = 10 V 16.5 TrenchFET Power MOSFETs 30 10.5 nC PWM Optimized 0.012 at VGS = 4.5 V 13.2 SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 G GD 4 5 Top View S Ordering Information Si

 9.2. Size:224K  vishay
 si4888dy.pdf pdf_icon

SI4880DY

Si4888DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET 30 0.010 at VGS = 4.5 V 13 High-Efficiency PWM Optimized 100 % Rg Tested SO-8 D S D 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G G 4 5 D Top View S

 9.3. Size:590K  vishay
 si4886dy.pdf pdf_icon

SI4880DY

Si4886DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.010 at VGS = 10 V 13 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.0135 at VGS = 4.5 V 11 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 D S D 1 8 S D 2 7 S D 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4850EY, SI4858DY, SI4860DY, SI4862DY, SI4864DY, SI4866BDY, SI4866DY, SI4874BDY, IRF530, SI4884BDY, SI4886DY, SI4888DY, SI4890BDY, SI4890DY, SI4892DY, SI4894BDY, SI4896DY