SI4880DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4880DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19.5 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4880DY Datasheet (PDF)
si4880dy.pdf
Si4880DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0085 at VGS = 10 V 13 TrenchFET Power MOSFETS300.014 at VGS = 4.5 V 10 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8SD1 8S D2 7S
si4884bdy.pdf
Si4884BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0090 at VGS = 10 V 16.5 TrenchFET Power MOSFETs30 10.5 nC PWM Optimized0.012 at VGS = 4.5 V 13.2SO-8 DSD1 8 SD2 7 SD3 6 GGD4 5 Top View SOrdering Information: Si
si4888dy.pdf
Si4888DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET300.010 at VGS = 4.5 V 13 High-Efficiency PWM Optimized 100 % Rg Tested SO-8DS D1 8S2 7 DS 3 6 DGG4 5 DTop ViewS
si4886dy.pdf
Si4886DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.010 at VGS = 10 V 13 TrenchFET Power MOSFETs300.0135 at VGS = 4.5 V 11 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8DSD1 8S D2 7S D3
si4884dy.pdf
Si4884DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0105 @ VGS = 10 V 1230300.0165 @ VGS = 4.5 V 10D D D DSO-8SD1 8S D2 7GSD3 6G D N-Channel MOSFET4 5Top ViewOrdering Information: Si4884DYSi4884DY-T1 (with Tape and Reel)S S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Param
si4882dy.pdf
Si4882DYNew ProductVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0105 @ VGS = 10 V "1130300.0205 @ VGS = 4.5 V "8D D D DSO-8SD1 8SD2 7GSD3 6GD N-Channel MOSFET4 5Top ViewS S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HM4450A
