Справочник MOSFET. SI4886DY

 

SI4886DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4886DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4886DY

 

 

SI4886DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:590K  vishay
 si4886dy.pdf

SI4886DY SI4886DY

Si4886DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.010 at VGS = 10 V 13 TrenchFET Power MOSFETs300.0135 at VGS = 4.5 V 11 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8DSD1 8S D2 7S D3

 9.1. Size:254K  vishay
 si4884bdy.pdf

SI4886DY SI4886DY

Si4884BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0090 at VGS = 10 V 16.5 TrenchFET Power MOSFETs30 10.5 nC PWM Optimized0.012 at VGS = 4.5 V 13.2SO-8 DSD1 8 SD2 7 SD3 6 GGD4 5 Top View SOrdering Information: Si

 9.2. Size:224K  vishay
 si4888dy.pdf

SI4886DY SI4886DY

Si4888DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET300.010 at VGS = 4.5 V 13 High-Efficiency PWM Optimized 100 % Rg Tested SO-8DS D1 8S2 7 DS 3 6 DGG4 5 DTop ViewS

 9.3. Size:69K  vishay
 si4884dy.pdf

SI4886DY SI4886DY

Si4884DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0105 @ VGS = 10 V 1230300.0165 @ VGS = 4.5 V 10D D D DSO-8SD1 8S D2 7GSD3 6G D N-Channel MOSFET4 5Top ViewOrdering Information: Si4884DYSi4884DY-T1 (with Tape and Reel)S S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Param

 9.4. Size:65K  vishay
 si4882dy.pdf

SI4886DY SI4886DY

Si4882DYNew ProductVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0105 @ VGS = 10 V "1130300.0205 @ VGS = 4.5 V "8D D D DSO-8SD1 8SD2 7GSD3 6GD N-Channel MOSFET4 5Top ViewS S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30V

 9.5. Size:243K  vishay
 si4880dy.pdf

SI4886DY SI4886DY

Si4880DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0085 at VGS = 10 V 13 TrenchFET Power MOSFETS300.014 at VGS = 4.5 V 10 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8SD1 8S D2 7S

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top