Справочник MOSFET. SI4931DY

 

SI4931DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4931DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4931DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4931DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  vishay
si4931dy.pdfpdf_icon

SI4931DY

Si4931DYVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.018 at VGS = - 4.5 V- 8.9 TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = - 2.5 V- 12 - 8.1 Advanced High Cell Density Process 0.028 at VGS = - 1.8 V- 3.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPP

 9.1. Size:238K  vishay
si4936ad.pdfpdf_icon

SI4931DY

Si4936ADYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.036 at VGS = 10 V 5.9 TrenchFET Power MOSFET300.053 at VGS = 4.5 V 4.9 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25 G1 G2Top ViewS1 S2

 9.2. Size:249K  vishay
si4936cd.pdfpdf_icon

SI4931DY

New ProductSi4936CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET5.830 2.8 nC0.050 at VGS = 4.5 V 5.5APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook System PowerSO-8 D1D2S1 D1

 9.3. Size:235K  vishay
si4936bd.pdfpdf_icon

SI4931DY

Si4936BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = 10 V 6.9 TrenchFET Power MOSFET30 4.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.051 at VGS = 4.5 V 5.7APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook Syste

Другие MOSFET... SI4894BDY , SI4896DY , SI4904DY , SI4909DY , SI4913DY , SI4914BDY , SI4916DY , SI4925DDY , SKD502T , SI4936CDY , SI4943CDY , SI4946BEY , SI4948BEY , SI4992EY , SI5401DC , SI5402BDC , SI5402DC .

History: GSM4102W | 2SK962 | VB2703K | 2SJ537 | IRF7450PBF | JCS650S

 

 
Back to Top

 


 
.