SI4946BEY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4946BEY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4946BEY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4946BEY даташит

 ..1. Size:256K  vishay
 si4946bey.pdf pdf_icon

SI4946BEY

Si4946BEY Vishay Siliconix Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = 10 V 6.5 TrenchFET Power MOSFET 60 9.2 nC 0.052 at VGS = 4.5 V 5.8 175 C Maximum Junction Temperature 100 % Rg Tested Compliant to RoHS directive 2002/9

 0.1. Size:947K  cn vbsemi
 si4946bey-t1.pdf pdf_icon

SI4946BEY

SI4946BEY-T1 www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Cha

 6.1. Size:254K  vishay
 si4946be.pdf pdf_icon

SI4946BEY

Si4946BEY Vishay Siliconix Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = 10 V 6.5 TrenchFET Power MOSFET 60 9.2 nC 0.052 at VGS = 4.5 V 5.8 175 C Maximum Junction Temperature 100 % Rg Tested Compliant to RoHS directive 2002/9

 8.1. Size:70K  vishay
 si4946ey.pdf pdf_icon

SI4946BEY

Si4946EY Vishay Siliconix Dual N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D 175_C Maximum Junction Temperature D 100% Rg Tested 0.055 @ VGS = 10 V 4.5 Pb-free Available 60 60 0.075 @ VGS = 4.5 V 3.9 SO-8 D S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G G2 4 D2 5 Top View S Ordering Information Si4946EY Si4946EY-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4909DY, SI4913DY, SI4914BDY, SI4916DY, SI4925DDY, SI4931DY, SI4936CDY, SI4943CDY, 18N50, SI4948BEY, SI4992EY, SI5401DC, SI5402BDC, SI5402DC, SI5403DC, SI5404BDC, SI5406CDC