IRFS242. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS242

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFS242

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS242 даташит

 8.1. Size:688K  1
 irfs240b.pdf pdf_icon

IRFS242

November 2001 IRFS240B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 12.8A, 200V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast

 8.2. Size:287K  1
 irfs240 irfs241.pdf pdf_icon

IRFS242

 8.3. Size:675K  1
 irfs244b.pdf pdf_icon

IRFS242

November 2001 IRFS244B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 10.2A, 250V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast

 8.4. Size:207K  1
 irfs244a.pdf pdf_icon

IRFS242

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS153, IRFS230, IRFS231, IRFS232, IRFS233, IRFS240, IRFS240A, IRFS241, IRF9640, IRFS243, IRFS244A, IRFS250, IRFS250A, IRFS251, IRFS252, IRFS253, IRFS254A