SI5403DC - аналоги и даташиты транзистора

 

SI5403DC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI5403DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8

 Аналог (замена) для SI5403DC

 

SI5403DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  vishay
si5403dc.pdfpdf_icon

SI5403DC

New Product Si5403DC Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.030 at VGS = - 10 V 6a - 30 2 nC 100 % Rg Tested RoHS 0.044 at VGS = - 4.5 V 6a COMPLIANT APPLICATIONS DC/DC Converter - Load Switch 1206-8 ChipFET - Adaptor Switch 1 S D D D D D

 9.1. Size:246K  vishay
si5406cdc.pdfpdf_icon

SI5403DC

New Product Si5406CDC Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.020 at VGS = 4.5 V 6 RoHS 0.023 at VGS = 2.5 V 12 6 11.5 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.027 at VGS = 1.8 V 6 Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers PA Switch in Cellular Devices

 9.2. Size:201K  vishay
si5406dc.pdfpdf_icon

SI5403DC

Si5406DC Vishay Siliconix N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.020 at VGS = 4.5 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 12 0.025 at VGS = 2.5 V 8.5 Low Thermal Resistance APPLICATIONS Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers 1206-8 ChipFET

 9.3. Size:227K  vishay
si5402dc.pdfpdf_icon

SI5403DC

Si5402DC Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.035 at VGS = 10 V 6.7 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.055 at VGS = 4.5 V 5.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206-8 ChipFET D 1 D D D D D Marking Code AA XX D G G Lot Traceabil

Другие MOSFET... SI4936CDY , SI4943CDY , SI4946BEY , SI4948BEY , SI4992EY , SI5401DC , SI5402BDC , SI5402DC , 2N60 , SI5404BDC , SI5406CDC , SI5406DC , SI5410DU , SI5411EDU , SI5414DC , SI5415AEDU , SI5418DU .

History: BL30N30-A

 

 
Back to Top

 


 
.