Справочник MOSFET. SI5403DC

 

SI5403DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5403DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
 

 Аналог (замена) для SI5403DC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5403DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  vishay
si5403dc.pdfpdf_icon

SI5403DC

New ProductSi5403DCVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = - 10 V 6a- 30 2 nC 100 % Rg Tested RoHS0.044 at VGS = - 4.5 V 6aCOMPLIANTAPPLICATIONS DC/DC Converter- Load Switch1206-8 ChipFET- Adaptor Switch1SDD DD D

 9.1. Size:246K  vishay
si5406cdc.pdfpdf_icon

SI5403DC

New ProductSi5406CDCVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = 4.5 V 6RoHS0.023 at VGS = 2.5 V 12 6 11.5 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 1.8 V 6 Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers PA Switch in Cellular Devices

 9.2. Size:201K  vishay
si5406dc.pdfpdf_icon

SI5403DC

Si5406DCVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.020 at VGS = 4.5 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated120.025 at VGS = 2.5 V 8.5 Low Thermal ResistanceAPPLICATIONS Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers1206-8 ChipFET

 9.3. Size:227K  vishay
si5402dc.pdfpdf_icon

SI5403DC

Si5402DCVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.035 at VGS = 10 V 6.7 TrenchFET Power MOSFETs300.055 at VGS = 4.5 V 5.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFETD1 D D D D D Marking Code AA XX D G GLot Traceabil

Другие MOSFET... SI4936CDY , SI4943CDY , SI4946BEY , SI4948BEY , SI4992EY , SI5401DC , SI5402BDC , SI5402DC , IRF830 , SI5404BDC , SI5406CDC , SI5406DC , SI5410DU , SI5411EDU , SI5414DC , SI5415AEDU , SI5418DU .

History: SFS2955 | JCS9N50CC | TPC6201 | TPC6113 | HFR1N60 | HYG045N03LA1C1 | 2SJ655

 

 
Back to Top

 


 
.