Справочник MOSFET. SI5406CDC

 

SI5406CDC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5406CDC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5406CDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  vishay
si5406cdc.pdfpdf_icon

SI5406CDC

New ProductSi5406CDCVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = 4.5 V 6RoHS0.023 at VGS = 2.5 V 12 6 11.5 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 1.8 V 6 Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers PA Switch in Cellular Devices

 6.1. Size:242K  vishay
si5406cd.pdfpdf_icon

SI5406CDC

New ProductSi5406CDCVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = 4.5 V 6RoHS0.023 at VGS = 2.5 V 12 6 11.5 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 1.8 V 6 Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers PA Switch in Cellular Devices

 8.1. Size:201K  vishay
si5406dc.pdfpdf_icon

SI5406CDC

Si5406DCVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.020 at VGS = 4.5 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated120.025 at VGS = 2.5 V 8.5 Low Thermal ResistanceAPPLICATIONS Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers1206-8 ChipFET

 9.1. Size:227K  vishay
si5402dc.pdfpdf_icon

SI5406CDC

Si5402DCVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.035 at VGS = 10 V 6.7 TrenchFET Power MOSFETs300.055 at VGS = 4.5 V 5.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFETD1 D D D D D Marking Code AA XX D G GLot Traceabil

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STB12NM50N | BLP12N10G-P | IRF7404PBF | KTK597 | TSM2N70CP | 2SK1016 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.