SI5406DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI5406DC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: 1206-8
Аналог (замена) для SI5406DC
SI5406DC Datasheet (PDF)
si5406dc.pdf

Si5406DCVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.020 at VGS = 4.5 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated120.025 at VGS = 2.5 V 8.5 Low Thermal ResistanceAPPLICATIONS Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers1206-8 ChipFET
si5406cdc.pdf

New ProductSi5406CDCVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = 4.5 V 6RoHS0.023 at VGS = 2.5 V 12 6 11.5 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 1.8 V 6 Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers PA Switch in Cellular Devices
si5406cd.pdf

New ProductSi5406CDCVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = 4.5 V 6RoHS0.023 at VGS = 2.5 V 12 6 11.5 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 1.8 V 6 Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers PA Switch in Cellular Devices
si5402dc.pdf

Si5402DCVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.035 at VGS = 10 V 6.7 TrenchFET Power MOSFETs300.055 at VGS = 4.5 V 5.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFETD1 D D D D D Marking Code AA XX D G GLot Traceabil
Другие MOSFET... SI4948BEY , SI4992EY , SI5401DC , SI5402BDC , SI5402DC , SI5403DC , SI5404BDC , SI5406CDC , IRF520 , SI5410DU , SI5411EDU , SI5414DC , SI5415AEDU , SI5418DU , SI5419DU , SI5424DC , SI5429DU .
History: SSI4N80AS | VBZMB18N50 | IRLR3103PBF | IPP80N06S4L-07 | STL130N8F7 | SMK0465FJ | SSG4402N
History: SSI4N80AS | VBZMB18N50 | IRLR3103PBF | IPP80N06S4L-07 | STL130N8F7 | SMK0465FJ | SSG4402N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440