Справочник MOSFET. SI5406DC

 

SI5406DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5406DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
 

 Аналог (замена) для SI5406DC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5406DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  vishay
si5406dc.pdfpdf_icon

SI5406DC

Si5406DCVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.020 at VGS = 4.5 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated120.025 at VGS = 2.5 V 8.5 Low Thermal ResistanceAPPLICATIONS Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers1206-8 ChipFET

 8.1. Size:246K  vishay
si5406cdc.pdfpdf_icon

SI5406DC

New ProductSi5406CDCVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = 4.5 V 6RoHS0.023 at VGS = 2.5 V 12 6 11.5 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 1.8 V 6 Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers PA Switch in Cellular Devices

 8.2. Size:242K  vishay
si5406cd.pdfpdf_icon

SI5406DC

New ProductSi5406CDCVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = 4.5 V 6RoHS0.023 at VGS = 2.5 V 12 6 11.5 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 1.8 V 6 Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers PA Switch in Cellular Devices

 9.1. Size:227K  vishay
si5402dc.pdfpdf_icon

SI5406DC

Si5402DCVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.035 at VGS = 10 V 6.7 TrenchFET Power MOSFETs300.055 at VGS = 4.5 V 5.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFETD1 D D D D D Marking Code AA XX D G GLot Traceabil

Другие MOSFET... SI4948BEY , SI4992EY , SI5401DC , SI5402BDC , SI5402DC , SI5403DC , SI5404BDC , SI5406CDC , IRF520 , SI5410DU , SI5411EDU , SI5414DC , SI5415AEDU , SI5418DU , SI5419DU , SI5424DC , SI5429DU .

History: SSI4N80AS | VBZMB18N50 | IRLR3103PBF | IPP80N06S4L-07 | STL130N8F7 | SMK0465FJ | SSG4402N

 

 
Back to Top

 


 
.