SI5411EDU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5411EDU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5411EDU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5411EDU даташит

 ..1. Size:162K  vishay
 si5411edu.pdf pdf_icon

SI5411EDU

Si5411EDU www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package 0.0082 at VGS = - 4.5 V - 25a - Small Footprint Area 0.0094 at VGS = - 3.7 V - 25a - Low On-Resistance - 12 43 nC 0.0117 at VGS = - 2.5 V - 25a 100 % Rg and UI

 9.1. Size:123K  vishay
 si5414dc.pdf pdf_icon

SI5411EDU

New Product Si5414DC Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.017 at VGS = 4.5 V 6 20 12.5 nC 100 % Rg Tested 0.022 at VGS = 2.5 V 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switches 1206-8

 9.2. Size:148K  vishay
 si5418du.pdf pdf_icon

SI5411EDU

New Product Si5418DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0145 at VGS = 10 V 12 RoHS 30 9.5 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.0185 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANT ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Single - Low On-Resista

 9.3. Size:164K  vishay
 si5415aedu.pdf pdf_icon

SI5411EDU

Si5415AEDU www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package 0.0096 at VGS = - 4.5 V - 25 - Small Footprint Area - 20 0.0132 at VGS = - 2.5 V - 25 43 nC - Low On-Resistance 0.0220 at VGS = - 1.8 V - 7 100 % Rg and UIS T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI5401DC, SI5402BDC, SI5402DC, SI5403DC, SI5404BDC, SI5406CDC, SI5406DC, SI5410DU, IRFB31N20D, SI5414DC, SI5415AEDU, SI5418DU, SI5419DU, SI5424DC, SI5429DU, SI5432DC, SI5433BDC