Справочник MOSFET. SI5411EDU

 

SI5411EDU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI5411EDU
   Маркировка: LB*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK

 Аналог (замена) для SI5411EDU

 

 

SI5411EDU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  vishay
 si5411edu.pdf

SI5411EDU SI5411EDU

Si5411EDUwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package0.0082 at VGS = - 4.5 V - 25a- Small Footprint Area0.0094 at VGS = - 3.7 V - 25a- Low On-Resistance- 12 43 nC0.0117 at VGS = - 2.5 V - 25a 100 % Rg and UI

 9.1. Size:123K  vishay
 si5414dc.pdf

SI5411EDU SI5411EDU

New ProductSi5414DCVishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.017 at VGS = 4.5 V 620 12.5 nC 100 % Rg Tested0.022 at VGS = 2.5 V 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switches1206-8

 9.2. Size:148K  vishay
 si5418du.pdf

SI5411EDU SI5411EDU

New ProductSi5418DUVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0145 at VGS = 10 V 12RoHS30 9.5 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.0185 at VGS = 4.5 V 12COMPLIANTChipFET Package- Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Single- Low On-Resista

 9.3. Size:164K  vishay
 si5415aedu.pdf

SI5411EDU SI5411EDU

Si5415AEDUwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package0.0096 at VGS = - 4.5 V - 25- Small Footprint Area- 20 0.0132 at VGS = - 2.5 V - 25 43 nC- Low On-Resistance0.0220 at VGS = - 1.8 V - 7 100 % Rg and UIS T

 9.4. Size:144K  vishay
 si5419du.pdf

SI5411EDU SI5411EDU

Si5419DUVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.020 at VGS = - 10 V - 12a TrenchFET Power MOSFET- 30 15.5 nC0.033 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAKChipFET Package- Small Footprint Area- Low On-ResistancePowerP

 9.5. Size:148K  vishay
 si5410du.pdf

SI5411EDU SI5411EDU

New ProductSi5410DUVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS40 10 nC0.021 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANTChipFET Package- Small Footprint AreaPowerPAK ChipFET Single- Low On-Resistance

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPP052N06L3 | SUD50P04-15 | MTN3400N3

 

 
Back to Top