SI5415AEDU - аналоги и даташиты транзистора

 

SI5415AEDU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI5415AEDU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK

 Аналог (замена) для SI5415AEDU

 

SI5415AEDU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  vishay
si5415aedu.pdfpdf_icon

SI5415AEDU

Si5415AEDU www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package 0.0096 at VGS = - 4.5 V - 25 - Small Footprint Area - 20 0.0132 at VGS = - 2.5 V - 25 43 nC - Low On-Resistance 0.0220 at VGS = - 1.8 V - 7 100 % Rg and UIS T

 9.1. Size:123K  vishay
si5414dc.pdfpdf_icon

SI5415AEDU

New Product Si5414DC Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.017 at VGS = 4.5 V 6 20 12.5 nC 100 % Rg Tested 0.022 at VGS = 2.5 V 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switches 1206-8

 9.2. Size:148K  vishay
si5418du.pdfpdf_icon

SI5415AEDU

New Product Si5418DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0145 at VGS = 10 V 12 RoHS 30 9.5 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.0185 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANT ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Single - Low On-Resista

 9.3. Size:144K  vishay
si5419du.pdfpdf_icon

SI5415AEDU

Si5419DU Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = - 10 V - 12a TrenchFET Power MOSFET - 30 15.5 nC 0.033 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance PowerP

Другие MOSFET... SI5402DC , SI5403DC , SI5404BDC , SI5406CDC , SI5406DC , SI5410DU , SI5411EDU , SI5414DC , IRF1405 , SI5418DU , SI5419DU , SI5424DC , SI5429DU , SI5432DC , SI5433BDC , SI5435BDC , SI5440DC .

History: SI5406CDC

 

 
Back to Top

 


 
.