Справочник MOSFET. SI5433BDC

 

SI5433BDC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI5433BDC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8

 Аналог (замена) для SI5433BDC

 

 

SI5433BDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  vishay
 si5433bdc.pdf

SI5433BDC SI5433BDC

Si5433BDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.037 at VGS = - 4.5 V - 6.7 TrenchFET Power MOSFET0.050 at VGS = - 2.5 V - 5.9 15- 200.070 at VGS = - 1.8 V - 5.01206-8 ChipFET1SDD DD D Marking CodeGBL XXD GLot Traceabilityan

 8.1. Size:109K  vishay
 si5433dc.pdf

SI5433BDC SI5433BDC

Si5433DCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)0.040 @ VGS = --4.5 V--6.7--20 0.052 @ VGS = --2.5 V --5.90.072 @ VGS = --1.8 V --5.0S1206-8 ChipFETt1DGD DD DMarking CodeD GBD XXSLot Traceabilityand Date CodePart # CodeDBottom ViewP-Channel MOSFETOrdering Information: Si5433DC-T1ABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:207K  vishay
 si5435bdc.pdf

SI5433BDC SI5433BDC

Si5435BDCVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.045 at VGS = - 10 V - 5.9 TrenchFET Power MOSFETs- 300.080 at VGS = - 4.5 V - 4.41206-8 ChipFET1DSD DD DMarking CodeD GGBJ XXXSLot Traceabilityand Date CodePart # CodeBottom V

 9.2. Size:215K  vishay
 si5432dc.pdf

SI5433BDC SI5433BDC

New ProductSi5432DCVishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = 4.5 V 6RoHS20 10 nC COMPLIANTAPPLICATIONS0.025 at VGS = 2.5 V 6 Load Switches for Portable DevicesTM1206-8 ChipFET1DDD DD DD GGSSBottom ViewN-Channel MO

 9.3. Size:128K  vishay
 si5435dc.pdf

SI5433BDC SI5433BDC

Si5435DCVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)0.050 @ VGS = --10 V--5.6--30--300.080 @ VGS = --4.5 V --4.0S1206-8 ChipFETt1DGD DD DMarking CodeD GBE XXSLot Traceabilityand Date CodePart # CodeDBottom ViewP-Channel MOSFETOrdering Information: Si5435DC-T1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top