Справочник MOSFET. SI5456DU

 

SI5456DU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5456DU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5456DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  vishay
si5456du.pdfpdf_icon

SI5456DU

Si5456DUVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Gen III Power MOSFET20 9.8 nC0.0135 at VGS = 4.5 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAKChipFET Package- Small Footprint AreaPowerPAK ChipFET Single-

 9.1. Size:152K  vishay
si5458du.pdfpdf_icon

SI5456DU

New ProductSi5458DUVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.)Definition0.041 at VGS = 10 V 6 TrenchFET Power MOSFET30 2.8 nC 100 % Rg Tested0.051 at VGS = 4.5 V 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK ChipFET Singl

 9.2. Size:152K  vishay
si5459du.pdfpdf_icon

SI5456DU

New ProductSi5459DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.052 at VGS = - 4.5 V - 8e TrenchFET Power MOSFET- 20 8 100 % Rg Tested0.082 at VGS = - 2.5 V - 7.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK ChipFET SingleAPPLICA

 9.3. Size:235K  vishay
si5457dc.pdfpdf_icon

SI5456DU

New ProductSi5457DCVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET- 20 0.041 at VGS = - 3.6 V - 6a 12.5 nC 100 % Rg Tested0.056 at VGS = - 2.5 V - 6a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SPD04N60S5 | SM6A12NSFP | NCEP025F90D | FCPF7N60YDTU

 

 
Back to Top

 


 
.