SI5456DU datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI5456DU 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI5456DU
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI5456DU даташит
si5456du.pdf
Si5456DU Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Gen III Power MOSFET 20 9.8 nC 0.0135 at VGS = 4.5 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Single -
si5458du.pdf
New Product Si5458DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = 10 V 6 TrenchFET Power MOSFET 30 2.8 nC 100 % Rg Tested 0.051 at VGS = 4.5 V 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS PowerPAK ChipFET Singl
si5459du.pdf
New Product Si5459DU Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.052 at VGS = - 4.5 V - 8e TrenchFET Power MOSFET - 20 8 100 % Rg Tested 0.082 at VGS = - 2.5 V - 7.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK ChipFET Single APPLICA
si5457dc.pdf
New Product Si5457DC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.036 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET - 20 0.041 at VGS = - 3.6 V - 6a 12.5 nC 100 % Rg Tested 0.056 at VGS = - 2.5 V - 6a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206
Другие IGBT... SI5440DC, SI5441BDC, SI5441DC, SI5442DU, SI5443DC, SI5445BDC, SI5447DC, SI5449DC, IRFP064N, SI5457DC, SI5458DU, SI5459DU, SI5461EDC, SI5463EDC, SI5468DC, SI5471DC, SI5475BDC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320




