Справочник MOSFET. SI5475BDC

 

SI5475BDC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5475BDC
   Маркировка: BN*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5475BDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  vishay
 si5475bdc.pdf pdf_icon

SI5475BDC

Si5475BDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) () Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated- 12 0.039 at VGS = - 2.5V - 6 15.5 nC0.054 at VGS = - 1.8 V - 61206-8 ChipFET S 1 D G D D D D Marking Code D G BN XXX

 6.1. Size:229K  vishay
 si5475bd.pdf pdf_icon

SI5475BDC

Si5475BDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) () Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated- 12 0.039 at VGS = - 2.5V - 6 15.5 nC0.054 at VGS = - 1.8 V - 61206-8 ChipFET S 1 D G D D D D Marking Code D G BN XXX

 8.1. Size:224K  vishay
 si5475dc.pdf pdf_icon

SI5475BDC

Si5475DCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.031 at VGS = - 4.5 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFETs0.041 at VGS = - 2.5 V 1.8 V Rated- 12 - 6.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.054 at VGS = - 1.8 V - 5.81206-8 ChipFETS1DD D

 8.2. Size:213K  vishay
 si5475ddc.pdf pdf_icon

SI5475BDC

New ProductSi5475DDCVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = - 4.5 V - 6aRoHS0.040 at VGS = - 2.5 V - 12- 6a 20 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices1206-8 ChipFET1 SDD DGD D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMD5838NL | FQAF34N25 | WFF12N70S | 2SK3777-01R | ITF86172SK8T | SWI20N20D

 

 
Back to Top

 


 
.